In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响.pdfVIP

第43卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v01．43N。．5 垫!兰生兰旦 煦堕曼盟垒垦Q!曼羔塑!堕兰旦鱼!鱼垒!曼曼叁些圣：：：：：：：：：：：：：：：：：：!墅坚』!!!!竺 In掺杂对MVB—Te溶剂法生长的 ZnTe晶体光电性能的影响 刘 航，介万奇，徐亚东，杨 睿 (西北工业大学凝固技术国家重点实验室，西安710072) 摘要：采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In：ZnTe与ZnTe晶体，并对晶体的光学与电学特性 进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In：ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析，发现In掺杂未 对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响。红外透过光谱分析表明，In：ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲 线均表现出平直的趋势，且其平均透过率基本相等，约为60％，进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质 吸收。然而，Ly测试分析发现，In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级。同时Hall测试分析表明，In： ZnTe与ZnTe晶体均为P型导电，In掺杂很大程度上补偿了晶体中的V。。，使得晶体中的载流子浓度降低了4个数 量级。对比了两种晶体的紫外一可见一近红外透过光谱，可以观察到，In掺杂使ZnTe的吸收边从550nm红移到560 nln，这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的。 关键词：MVB-Te溶剂法；In掺杂；红外透过显微成像；I-V测试；Hall测试 中图分类号：0731 文献标识码：A EffectsofIn onthe andElectrical Doping Optical Properties ofZnTe Grown Solvent MVB-TeMethod Crystal by LIU Rui Hang，JIE Ya-幽ng，YANG Wan—qi，XU ofSolidification (StateKeylaboratory 710072，China) Processing，NorthwestemPolyteehnicalUniversity，Xikn 25December 20 (Received 2014) 2013，acceptedJanuary electricaland ofIn：ZnTeandZnTe Abstract：The MVB—Tesolvent opticalproperties crystalsgrown by methodwerecharacterized．Observationandstatistical ofTeinclusionsinIn：ZnTeandZnTe analysis showthatIn hasno effectonthedistr