MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究.pdfVIP

第24卷第3期 红外与毫米波学报 V01．24．No．3 2005年6月 J．InfraredMillim．Waves June，2005 文章编号：1001—9014(2005)03—0193—05 江德生， 刘建平， 杨 辉 (中国科学院半导体研究所，北京100083) 摘要：对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究．根据V一形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的 起的L0声子拉曼散射谱的共振加强，此共振过程的机制是一种类级联的电子一多声子互作用机制． 关键词：氮化物；阴极荧光；拉曼散射 中图分类号：0472+．3；0484．5文献标识码：A INVESTIGATIoNSoNoPTICALPRoPERTIESoF AlGaInNEPILAYERSGRoWNBYMOCVD JIANG LIU YANGHui De—Sheng， Jian—Ping， of of Semiconductors，Chinese (Institute AcademySciences，Beijing100083，China) luminescenceandRaman wasc痈edonAlInGaN Basedonthe Abstract：Micmscopic scatteringstudy quatemaryalloy． ofSEM andcathodoluminescencemeasuredamund con．elationbetweenV—defectfo卜 analyses image spectra V—defects，the mationandindium wasclarified．Raman ofthinAlInGaN was by theshon se铲egation scattering epilayersinvestigatedusing excitationof325nm1aser1ine．。rhe shiftof inducedthe ofAl by changecomposition wavelength frequencyA1(LO)phonon ofL0 tobe enhancedwith in wasobseⅣed．TheRamaIl wasfound alloy scatteringphonons resonantly outgoingresonance， mech肌ism． anditisattributedtothecascade—like interaction electron—multiphonon Keywords：nitrides；cathodoluminescence；mmanscattering 引言 件的制备及光学性质的研究受到了越来越多的重 近年来，半导体Ⅲ族氮化物GaN，AlN，InN以及 由它们所组成的3元、4元化合物固溶体材料的研 陷的微区光学性质，证明V形缺陷的形成与局部In 究进展很大．GaN器件的研究，特别是兰