RFID晶片设计期末报告.PPT

通訊四甲 楊穎穆 電路說明 程式說明 電路模擬 輸入端 輸出端 電容器1 二極體 限壓電路 電容器2 電容器1:主要為儲存能量作用 二極體:以NMOS來當作二極體功用 限壓電路:主要是為限壓出直流電源 電容器2:以NMOS當作電容器 輸入sin波 正半週波形 負半週波形 輸出全波波形 *Simulation of ret_clam * vgnd gnd 0 0 rx txa1 hfa 1 vihfa txa1 0 sin(0 100 13.56e6) ******** tune it above 2.5 ~ k1 LRL1 LRL2 k=0.001 ************ fix it LRL2 HF1 HF2 8.6e-6 LRL1 HFA GND 8.6e-6 .inc ret_clam.spi *.protect .lib mtp580_para.lib_r002m nn *ss ff sf fs *.unprotect 呼叫spi檔案，執行spi電路檔程式 輸入電源部分為sin波，頻率13.56MegHz k為耦合係數，數值越大耦合效果越好 模型設定條件 .option post *.option accurate .option TNOM=25 .temp 25 *.op ****Transient Analysis******************************************* .tran 100e-9 100e-6 ***************************** *.probe v(hfa) *.probe i(LRL2) .probe i(XCLAMP.RI_1) i(XCLAMP.RI_2) i(XCLAMP.MI_11) **** probe rectifier ******************************* *.probe vhf=par(v(hf1)-v(hf2)) .end 程式結束 條件設定，溫度設於25度 * hspicent 1.0 - Engineering Capture System 2.70 * chipa1ht.spi - 3/07/03 6:17:52 * .GLOBAL .SUBCKT CLAMP1 VRF MI_12 VRF N_3 N_2 VRF HP L=4U W=80U M=1 MI_11 N_1 VRF VRF GND H1 L=4U W=2000U M=1 MI_13 GND N_2 N_1 GND H1 L=2U W=800U M=1 MI_10 N_4 N_3 N_3 GND NM L=3U W=20U M=1 MI_9 N_5 N_4 N_4 GND NM L=3U W=20U M=1 MI_8 0 N_5 N_5 GND NM L=3U W=20U M=1 *MI_8 N_6 N_5 N_5 GND NM L=3U W=20U M=1 依照電路將各零件相鄰接點寫出， 並設定零件規格，M表其控制閘 MI_7 GND 0 0 GND NM L=3U W=20U M=1 *MI_7 GND N_6 N_6 GND NM L=3U W=20U M=1 MI_6 GND GND GND GND NM L=3U W=20U M=1 MI_5 GND GND GND GND NM L=3U W=20U M=1 MI_4 GND GND GND GND NM L=3U W=20U M=1 RI_2 N_2 GND 24000 $[PP] RI_1 VRF N_3 48000 $[PP] .ENDS CLAMP1 *** CCRES1 GND HF1 31.712P $[CP] CCRES2 HF2 GND 31.712P $[CP] XCLAMP VRF CLAMP1 MCPOWER GND VRF GND GND NM L=150U W=150U M=1 MI_59 HF1 HF1 VRF GND NN L=1.5U W=25U M=1 MI_58 HF2 HF2 VRF GND NN L=1.5U W=25U M=1 可看出結果限壓於一固定直流值，約5點多左右，耦合效果也較好