Sc2O3对水热法生长ZnO晶体的影响.pdfVIP

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2017-10-13 发布于北京
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第44卷第7期人工晶体学报 v。1．44No．7 兰Q!!堡Z旦 !Q旦墨丛垒生Q￡曼!塑!旦垦!!鱼堡垒!墨!垒坠』坠!!：兰Q!! Sc203对水热法生长ZnO晶体的影响左艳彬，周海涛，王金亮，何小玲，任孟德，张昌龙 (中国有色桂林矿产地质研究院有限公司广西超硬材料重点实验室，国家特种矿物材料工程技术研究中心，桂林541004) 的(0001)和(0001)面，导致这两个极性面发生非极性生长，形成规则六棱柱的形貌。在室温下测得的电阻率和载流子浓度显示：即使所得晶体的钪含量仅有8～13 Q· ppm，Sc掺杂ZnO仍是高导电性的，电阻率低于5．6×10q 光用于评价光学性能。关键词：钪掺杂ZnO；水热法；生长机理；霍尔效应；光致发光中图分类号：074 文献标识码：A Effectsof AdditiononZnO Sc2 SingleCrystals 03 Method PreparedbyHydrothermal ZUO Yah-bin，ZHOUHai—tao，WANG Jin—liang，HEXiao-ling，REN讹增一de，ZHANGChang—long National ResearchCenterfor Mineral of (Chinese Engineering Materials，GuangxiLaboratory Materials， Special Key Superhard China Nonferrous and Metal(Guilin)GeologyCo．，Ltd．，Guilin541004，China) Mining 29 (ReceivedJanuary2015) Abstract：ZnO were methodwith0．1 0． singlecrystalspreparedbyhydrothermal wt％，0．2wt％and addition．The influenced 3wt％Sc203 hydrothermalgrowthmechanism，asby ionsorscandiumcoordinatedanionic suchas Sc“，wasinvestigated．Scandium groups Sc(OH)4一in alkalinesolutionstendtoabsorbon of ina both(0001)and(0001)faces ZnO，resultingnon—polar