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SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响.pdf

第 卷第 期 半 导 体 学 报 , 23 3 Vol .23 No . 3 2002 年 月 , 3 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Mar . 2002 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 膜的薄层化对自组织生长 纳米量子点 SiO2 Si 发光特性的影响 , 1 2 3 3 3 彭英才 竹内耕平 稻毛信弥 宫崎诚一 (河北大学电子信息工程学院,保定 ) 1 071002 ( 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室,北京 ) 2 100083 ( 日本广岛大学电气工学系,大学院先端物质科学研究科) 3 摘要:采用低压化学气相沉积方法,依靠纯 气体的热分解反应,在 表面上自组织生长了 纳米量子点 SiH SiO Si . 4 2 实验研究了 膜的薄层化对 纳米量子点光致发光特性的影响 结果表明,当 膜厚度减薄至 以下时, SiO Si . SiO 6nm Si 2 2 纳米量子点中的光生载流子会量子隧穿超薄 层,并逃逸到单晶 衬底中去,从而减少了光生载流子通过 SiO Si SiO / 2

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