Si纳米线的Au催化固-液-固生长与结构表征.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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Si纳米线的Au催化固-液-固生长与结构表征.pdf

第29卷第4期河北大学学报(自然科学版) V01．29No．4 ofHebei ScienceEdition) Jul．2009 2009年7月 Journal University(Natural Si纳米线的Au催化固一液一固生长与结构表征范志东，白振华，马蕾，彭英才 (河北大学电子信息工程学院，河北保定071002) 摘要i以电阻率为1．1～1．5Q·衄的N一(111)Si单晶为衬底和厚度为220am的Au膜层为金属催 0001 化剂，在N2气流量为0．4---2．0L／min和温度为1 100℃的退火条件下，利用固一液一目(SI。S)生长机 nm、长度为数微米到数十微米．讨论了退火温度、N2气流量和Au膜层厚度对Si纳米线的形成与结构的影响．实验结果表明，制备高密度、分布均匀且生长方向趋于一致的Si纳米线的最佳工艺参数为：Au膜层厚度为 5～10am，温度为1100℃，N2气流量为1．5L／min．关键词：Si纳米线；Au催化；热退火；固一液一固生长；结构表征 383 中图分类号：TB 文献标识码：A Au GrowthofSiliconNanowires Catalytical Using MechanismandItsStructural Solid—liquid—solid FAN Zhen-hua，MALei，PENG Zhi-dong，BAI Ying—cai ofElectronicandInformational 071002，China) (College Engineering，HebeiUniversity，Baoding nanowireswas on substratescoated athin nm)of Abstract：Si N一(111)Si layer(2-一20 grown byusing actsasmetallic at1000--一1100℃andflowrateof0．4～2．0 basedonthe gold catalyst N2 L／min solid—liq— uid-solid(SLS)mechanism．Themeasurementof electron thatthe scanning microscop(SEM)showssyn— thesizednanowireswithdiametervariedfrom50t0150amand morethanseveralordozensofmi— lengths effectsofthe ofAufilmand flowrateon crometers，respectively．Theannealingtemperature，thicknessN2 thatthe t