上海大革智能科技有限公司全面启动第三代半导体碳化-SEMIORG.PDF

上海大革智能科技有限公司全面啟動第三代半導體：碳化矽產業布局 碳化矽 (SiC) 晶體材料相對於現在廣泛使用的矽 (Si) ，具有 10倍的電場 強度，4 倍的熱導率，4 倍的禁帶寬度，2 倍的飽和遷移速度等優勢，碳化矽作 為下壹代半導體材料成為半導體行業關註的重點。 第三代半導體產業是決定未來國家競爭力的戰略性產業。近幾年，各個國家 都將研究發展第三代半導體技術作為國家的重點項目，不斷加大投入力度和政策 措施扶持。 2016 年，上海大革智能科技有限公司，已經啟動了碳化矽的產業項目，並對 產品技術，產品市場幾個方面展開了深入的調查研究。 在SEMICON China 2017 的展會上，上海大革智能科技有限公司，向半導體 產業的同行、投資者以及所有關心碳化矽技術發展的各方人士，展示其深耕於碳 化矽產業垂直整合的產業規劃及成果。 在晶體制造方面，上海大革智能科技有限公司作為日新技研株式會社長晶設 備的銷售代理和制造授權，現已投產升華法（PVT）碳化矽晶體生長爐。上海大 革智能科技有限公司技術團隊以生長高品質大尺寸碳化矽晶體為目標，現已4-6 英寸碳化矽晶體生產的核心技術，啟動申請多項專利，所生產的碳化矽單晶微管 缺陷密度等質量要求均達到國內領先水平。 同時，上海大革智能科技有限公司，獲得了日新技研株式會社的獨家授權， 可以在中國大陸地區貼牌制造日新技研碳化矽長晶設備。目前，國內多個投資機 構與地方政府已經向上海大革智能科技有限公司發出要約，共同實現碳化矽晶體 制造的產業化。上海大革智能科技有限公司規劃在今年第四季度以前實現，50 臺 國內制造的日新技研長晶爐計劃。 上海大革智能科技有限公司，計劃繼續引進溶液生長法（LPE）晶體生長技術 及高溫化學氣相沈積法 （HTCVD ）晶體生長技術，尋求在碳化矽長晶技術領域取 得進壹步突破，適應市場需求，生產更高品質更大尺寸的碳化矽晶體。 在碳化矽器件方面， 上海大革智能科技有限 公司於近期獲得了日本 羅姆（ROHM ）半導體的 碳化矽功率器件銷售代 理權。並且已經從臺灣 市場入手，開始切入碳 化矽電子電力器件的應 用領域。 上海大革智能科技 有限公司，已經啟動特 斯拉汽車電動機供應商 臺灣富田機電的電機銷 售代理，並且已經共同 開展與國內主要的電動車供應商之間的接觸並且計劃啟動合作。 近日，上海大革智能科技有限公司，壹方面已經啟動公司的TS16949 質量體 系認證，另壹方面集合了大陸與臺灣在電力器件模組方面的技術精英，啟動開發 新能源汽車電力電子模塊項目。上海大革智能科技有限公司目標成為國內領先的 新能源車動力總成解決方案的供應商，為新能源汽車提供高效節能的解決方案。 上海大革智能科技有限公司總經理曹祐銘先生介紹，“盡管目前碳化矽