TGO均匀生长及典型界面形貌特征对热障涂层残余应力的影响.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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TGO均匀生长及典型界面形貌特征对热障涂层残余应力的影响.pdf

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TGO均匀生长及典型界面形貌特征对热障涂层残余应力的影响.pdf

第36卷／第2期／河北师范大学学报／自然科学版／ V01．36NO．2 NORMALUNlVERSITY／NaturaIScien∞EdilIon／ Mar．2012 2012年3月 JOURNALOFHEBEI TGO均匀生长及典型界面形貌特征对热障涂层残余应力的影响韩志勇，王欢，丁昆英，王志平 (中国民航大学材料工艺技术研究所，天津300300) 摘要：考虑到热障涂层中陶瓷层催结层界面间的热生长氧化物以及粘结层的表面形貌，模拟计算了热障涂层中锥形坑对热生长氧化层与陶瓷层、粘结层界面残余应力分布．计算结果表明，形貌单元尺寸及分布密度对热生长氧化物界面应力有明显的影响，热生长氧化物层与陶瓷层界面的应力大于与粘结层界面的应力，在形貌中心处存在应力集中，并且达到最大值，形貌中心是涂层失效的危险点，其残余应力随着界面形貌单元数量的增加而减小．关键词：热障涂层；残余应力；界面形貌；热生长氧化物中圈分类号：1’G172．6 文献标识码：A 文章编号：1000．5854(2012)02一0155．04 ofTBCResidualStressesUniformGrowthof Effect by TGOand Interface Typical Topography H～N WANGH∞n， DING WANG Zhiyong， Kunying， Zhiping ofMateriaI of 3003∞．CIIi】M) (In吼itme Tech∞b盱．ci“A衄hUIlirsityChi弛。Tial日ilI finiteelement effectofresidualstr∞s豁distribution soft method，the Abstnct：UsingABAQUSby analySis bond interfaceand∞ne of betw∞nTIGoand coat inte卜 oxide(TGo)that bygrowththe珊ally—growth gmws ofbond∞atina w髂calculated．Ther∞ultshowsthatther∞idualstre鼹 fa∞topog阳phy T王妃system calculating interfaceisaffectedinterface unitsizeand distributionden- of oxide topognphy themally—gmwth by topography stre骚betw∞nTGoandcemmic interfaceis thanthestre鹞betw鲍nTGo sity0bviously．The top coating gr朗ter centerandr髓ch鹤themaximalvalue．The