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φ300mm碘化铯晶体发光非均匀性与生长界面的关系.pdf

第44卷第12期 人 工 晶 体 学 报 v。1.44No.12 ::::!!堕!篁!兰旦 』Q型曼盟垒生Q!墨!塑!旦垦!!垦垦垦!量坠堕 望!!!坐坠!!:兰Q!! 柱啪lllnl碘化铯晶体发光非均匀性与生长界面的关系 任国浩,陈晓峰,李焕英,吴云涛,张卫东,樊加荣 (中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800) 摘要:报道了迄今为止国内首次生长出的最大直径(300 mm)碘化铯CsI(T1)闪烁晶体,并采用x射线和”7cs所发 射的-射线为激发源分别测试了该晶体不同部位的发光强度,分析了这些部位的铊离子浓度,并对发光强度与铊离 子浓度及其空间关系进行了讨论,认为该晶体在水平面上的发光不均匀性反映出生长界面具有凸向上的特征,进 而提出调节温度场对改善均匀性具有重要作用。 关键词:CsI(TO晶体;光输出;1f1离子浓度;非均匀性;生长界面 中图分类号:0782 文献标识码:A ofLuminescenceof mm Non-uniformity 4,300 CsI(TI) ScintillationandItsGrowth Crystals Interface REN Guo—hao,CHENXiao-feng,LIHuan—zing,WUYun—tao,ZHANG Wei·dDng,FAN肋·rong of of Institute (Shanghai Ceramics,ChineseAcademySciences,Shanghai201800,China) 1 30 (ReceivedJuly 2015) 2015,acceptedSeptember withdiameterof300mmis forthefirsttimeindomestic Abstract:CsI(TI)singlecrystal reported region. The was withmodifiedvertical methodundervacuum at crystalgrown Bridgman condition.h§lightoutputs differentareaweremeasuredwithmuhichannel 137 excited fromCsand excited energyspectra by.ray X-ray luminescence concentrationof Wasalso spectrometer respectively.Meanwhile,theactivator,TIanalyzedby meansofICP-Massandthe o

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