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Ⅲ-V族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学.pdf
Availableonlineatwww.sciencedirect.com
.一,, of
Transactions
鬻驾 ·::,ScienceDirect NOllferrousMetals
ofChina
邋蔫 Society
Trans.NonferrousMet.Soc.Chinan146—151 ;;i;;;;;;;;;;
21(201
www.tnmsc.Cn
of of III—Vsemiconductor
Thermodynamicanalysisgrowthternary
materialsmolecular-beam
by epitaxy
YE Xue,GONG
Zhi—cheng,SHUYong—chun,CAP Liang,PIBiao,
YAP
Jiang—hong,XINGXiao-dong,XUJing-jtm
ofAdvancedandFabricationfor NonlinearPhotonicsMaterialsof
KeyLaboratory Technique Weak—light
of 300457,China
MinistryEducation,NankaiUniversity,Tianjin
Received17June 15 2010
2010;acceptedAugust
modelsformolecular-beam of III.Vsemiconductormaterialsare
Abstract:Thermodynamic epitaxy(MBE)growthternary proposed.
Thesemodelsaleln withour materialsInGaP怒aAsand GaAsPfGaAs
agreement expefimenml InGaAs/InP,andreported and
InAsP/InPin latticestrain AGandthermal sensitiveto ale
thermodynamicgrowth.The energy decompositiongrowthtemperature
in
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