ⅢⅤ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响.pdfVIP

光电字·激光 第17卷第8期2006年8月 Journal V01．17No．8 ofOptoelectronics·Laser Aug．2006 Ⅲ／V比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响* 隋妍萍一，于广辉，俞谦荣，齐 鸣 (中科院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海200050) 摘要：在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中，采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出 二维生长模式的GaN材料；通过研究Ⅲ／V比的调节对GaN生长的影响，确定了微富Ga的MBE生长 GaN的优化条件；对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较，富Ga条件下的GaN具有 更好的表面和材料特性；通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质，GaN的黄带 发光(YL)与GaN中生成能最低的Vw和Vc。缺陷态有关。 关键词：分子束外延(MBE)；Ⅲ／V比；二维生长；光致发光(PL)谱 文献标识码：A 中图分类号：TN304．2+3 文章编号：1005—0086(2006)08—0958—05 Effect FluxRatioonGaNGrowthPlasma—assistedMBE ofⅢ／V by SUI Guang—hui，YU Yan-ping～，YU Qian—rong，QIMing of In (State ofFunctionalMaterialsfor Institute and KeyLaboratory lnformatics，ShanghaiMicrosystem formation of 200050，China) Technology，ChineseAcademyScience，Shanghai f．|msin2-D modewere molecularbeam Abstract：GaN growth grownbyplasma—assisted a of buffer conditions．Wehavestudied range epitaxy(MBE)underlow-temperaturelayer onGaN theeffectof fluxratio basedonthe ofmicrostructureandsur· m／v growth study face theintermediateconditionbetweenGa-richandN-richconditionsis morphologies．And established，slGa-richconditionisthe conditionforMBEGaN ightly optimal growth．Blue in GaN at10K and low observedthe androom