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半导体习题解答
习题解答
P125-2. 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空
穴迁移率分别为1450cm2/( V.S)和500cm2/( V.S) 。当掺
入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导
率。比本征Si的电导率增大了多少倍？
u 1450cm V /(S u ), 500cm V /(Sn ) 2 p 2
解：300K时，
查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为
1n 010.10 3 cm
i
本征情况下，
10 -19 6
( ) 110nqu16 pqu10 n(1450q u 500u ) 3.12 10 / . + S cm
p i n n p
1 1
8 6 4 8
金钢石结构一个原胞内的等效原子个数为 8 2
个，查看附录B知Si的晶格常数为0.543102nm，则其
原子密度为 8 22 3
510 cm
7 3
。 0 543102( . 10 )
掺入百万分之一的As,杂质的浓度为
22 1 16 3
N 510 510 cm
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