数电课件 第3章 逻辑门(Qchsh).pdf

数字电子技术基础 教 师：钱承山 职 称：副教授 Email: qianchengshan@163.com 南京信息工程大学信息与控制学院 第3章逻辑门 3.1 MOS管的开关特性 3.2 CMOS 门电路 3.3 双极型半导体二极管和三极管的开关特性 3.4 TTL 门电路 3.5 ECL 门电路 3.6 BiCOS 门电路 南京信息工程大学信息与控制学院 2009-11-10 本章总的要求： ①熟练掌握TTL和CMOS集成门电路输出与输 入间的逻辑关系、外部电气特性，包括电压传输特 性、输入特性、输出特性和动态特性等； ②掌握各类集成电子器件正确的使用方法。 重点： TTL 电路与CMOS 电路的结构与特点。 3 南京信息工程大学信息与控制学院 南京信息工程大学信息与控制学院 2009-11-10 3.1 MOS管的开关特性 1. N沟道增强型MOS管的结构和符号 半导体层 SiO 绝缘层 PN结 2 4 南京信息工程大学信息与控制学院 南京信息工程大学信息与控制学院 2009-11-10 vGS=0时 v v i =0 GS DS D D 、S间 S G D 相当于两 个背靠背 N N 的PN结 P S D 不论D 、S间有无 电压，均无法导通， B衬底 不能导电。 5 南京信息工程大学信息与控制学院 南京信息工程大学信息与控制学院