模拟电子技术_第1章_常用半导体器件_三极管_刘广孚.pdf

Fundamental of Analog Electronic Circuit 模拟电子技术 第一章 常用半导体器件 主讲教师：刘广孚 中国石油大学(华东)信息与控制工程学院 1.4 双极型晶体三极管（BJT ） 第一章常用半导体器件 1.4.1 3 1.41.4 双极型晶体三极管（双极型晶体三极管（BJTBJT ）） 第一章常用半导体器件 双极型三极管的符号； 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 4 1.41.4 双极型晶体三极管（双极型晶体三极管（BJTBJT ）） 第一章常用半导体器件 1.4.2 BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过 载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 1. 内部载流子的传输过程 以NPN为例 发射区：发射载流子 基区：传送和控制载流子 集电区：收集载流子 6 1.41.4 双极型晶体三极管（双极型晶体三极管（BJTBJT ）） 第一章常用半导体器件 C N B P E c IB’ N 发射结正偏， R 进入P区的电子少部 B 发射区电子不 分与基区的空穴复 E IE 断向基区扩散， E B ’ 合，形成电流IB ， 形成发射极电 多数扩散到集电结。 流I 。 E 7 1.41.4 双极型晶体三极管（双极型晶体三极管（BJTBJT ）） 第一章常用半导体器件 I =I +I I 集电结反偏，由集 C NC CBO NC 电区的少子(空穴) C 形成反向电流I 。 CBO ICBO INC N 从基区扩散来 B 的大量的基区 P E c 的少子(电子)，