DIODED 知识123.pdf

关于后续交流问题的回复 150902 苏州固锝 150906追加说明 150918追加说明 承蒙贵司一直关照,就贵司提出的以下问题就先简单回复, 有不完善之处还请多多包涵, 后续将继续内部讨论逐步更新.期待大家一起讨论提升.感恩. 问题回复: 1,贵司二极管必威体育精装版沟槽工艺跟二极管的平面工艺的区别和优势。 150902 GA回复: 首先ＳＢＤ的含义是SchottkyBarrierDiode之前提. 不同点： 沟槽构造的主要目的是阴极里面的P 型扩散部在硅板(SI)和Barrier metal的Schottky结 合部中降低导通的反向漏电流. 平面构造是芯片(N型)的阴极电极的周边部中让P型扩散并 增加空乏层.这样可以更加提升安定的耐压. 优势比较 沟槽构造中阴极电极内部有P型部分,当加入反向电压时,NP部分中N部就被P部包围,增加 空乏层,P-P层之间相互的空乏层就重叠,这样就控制了反向漏电流,反向漏电流就低.以下图 中,最上面是平面构造,上面是阳极,下面是阴极,在P下为空乏层.第二图为unction Barrier Controlled Schottky构造,最下面为沟槽构造(Trench ckontact typ). 再简单汇总: 平面工艺可以使电压提升,沟槽工艺的优势在IR更低VF也更小. 2, 二极管芯片设计时过电流、耐压极限值和管控标准以及测试方法。 150902 GA回复: 进行决定二极管规格的晶粒的设计时，主要特性是额定电压（VRRM）和流过的额定电流（IF （AV））、峰值正向电压（VFM），这些是主要的项目。 另外，过电流（IFSM）一般地是以从额定耐压（VRRM）和额定电流（IF（AV））、峰值正向 电压（VFM）中求得晶粒尺寸，确认其实际组装在产品中的实力值从而决定其保证值的。其他 的方法，还有预先决定过电电流（IFSM）的值，再来确定能够耐受该值的晶粒尺寸。那设计 时取多少余量呢？是根据所使用的硅片（OSL、Epi）的种类、规格幅度（ρs的分布）等而 受到影响的，不过，通常都是确保额定耐压的20%以上。因为不同的产品，其耐压和正向电 压是逆关联的，所以有时也会为了保证正向电流最大限度地小，而将耐压的余量做成5%的程 度。 3 二极管芯片应用主要管控哪些主要参数，设计怎样提高参数余量。 3.1、正向浪涌IFRM、IFSM。 150902 GA回复: 正向浪涌电流是指流过二极管的电流的非反复正弦波的1个循环的最大容许电流值。流过的 浪涌电流如果超过容许电流值的话，晶粒会因大电流而导致发热，超过500℃，就会溶融， PN结被破坏而形成短路。 这个瞬时过电流，是将在通电时，结温瞬间超过保证温度TjMAX，在使用期间累积次数总和 在100次以下的异常时流过的电流为对象的。 使用电路，带有电容等的容量负荷时，电源投入时的初期，为了给电容充电而会流过浪涌电 流，之后负荷电流稳定，不过，这个浪涌电流反复进行时，抑制浪涌电流的峰值就是重要的。 一般地，反复流过浪涌电流值的目标值推荐额定的50%以下。但是，不能选定浪涌电流值大 的二极管的情况下，考虑使用期间的动作时间，进行用与实机相近的浪涌电流反复通电的寿 命试验，从发生不良的界限时间来确认余量。 3.2、反向恢复时间和反向最大电流，跟实际运用怎么关联.IRM是否管控。 150902 GA回复: 反向恢复时间（trr）是指在流过正向电流之后立即施加了反向电压（VR）时，存在于晶粒内 容的电子（－）和空穴（＋）在PN结的部位的耐压恢复，空乏层伸展的过程中，向反方向移 动的作为反向电流（IR）所流过的时间。 正向上流过电流的现象是电子自阴极电极部位向阳极电极方向移动，相反空穴地自阳极电极 部位朝着阴极电极部位移动的，就是电流流过。 将时间瞬间停止的话，与电流值匹配的数量的电子和空穴，就存在于晶粒内部。