硕士研究生入学考试复试考试大纲4.docVIP

2012年硕士研究生入学考试复试考试大纲 001通信与信息工程学院 考试科目 复试 数字逻辑电路设计及应用 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 120分钟 考试总分 200分（推免生复试100分） 一、总体要求 掌握数字逻辑电路的基本原理与特性、数字逻辑电路分析方法数字逻辑电路设计和综合技能）））  考试科目 复试 光电子技术 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 120分钟 考试总分 200分（推免生复试100分） 一、总体要求 掌握002电子工程学院 考试科目 复试 模拟电路 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 120分钟 考试总分 200分（推免生复试100分） 一、总体要求 《模拟电路》要求掌握半导体器件：晶体二极管、双极型晶体三极管（BJT）和场效应晶体三极管（FET）的工作原理；掌握二极管单向导电性的基本应用和反向击穿特性及其应用；掌握BJT和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法，并应用于实用电路的工程估算；理解放大器的频率特性概念及其描述，根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率；掌握模拟IC中重要单元电路，如差动放大器、互补推挽输出电路等的分析计算方法；掌握负反馈放大电路的工作原理和分析方法；能用理想运放分析法分析集成运放构成的信号运算电路；掌握直流电源基本概念及其应用。 二、内容及比例 A 半导体材料及二极管 1、了解半导体的基本知识 本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN结的单向导电特性；不对称PN结。 2、掌握二极管的基本知识 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。 3、二极管应用 掌握单向导电特性应用：整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型。 反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。 B 双极型晶体三极管（BJT） 1、理解BJT工作原理 NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，，，ICBO，ICEO的概念）；放大偏置时的vBE、vCE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；BJT的截止与饱和状态及特点。 2、BJT静态伏安特性曲线 理解共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。 3、BJT参数 理解 、、(、(、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义 4、混合(模型 理解完整模型和了解模型参数的物理含义。 熟练掌握两种简化模型（gm参数和(参数模型）及其模型参数的计算方法。 C BJT放大电路 1、理解放大器的一些基本概念 信号源（内阻，源电压，源电流）；负载电阻；输入输出电压（电流）；耦合电容与旁路电容；直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大的波形演示。 2、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法 工作点的估算；直流负载线；稳基流电路；基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3、BJT三种基本组态放大器（中频段） 熟练掌握小信号放大器指标及其意义：端增益、源增益、输入与输出电阻。 掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。 掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。 4、多级放大器 理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标计算。 D MOSFET及其放大电路 1、FET原理 了解FET的分类、电路符号；了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理；放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。 2、FET特性曲线 以N沟道FET（包括JFET和MOSFET）为重点，理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。 3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置） 掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 4、FET的小信号模型 理解gm的含义及计算式，理解rds含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。 5、FET的CS和CD组态放大器 熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。 E 模拟集成单元电路 1、恒流源 熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标；理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电