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微电子技术-科迅数字阅览室
5996 技 术 科 学
微电子技术
半导体集成电路技术
半导体 见第一卷中的 半导体
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晶体管 见第一卷中的 晶体管
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双极 型 晶体管 电子和空穴两种类型载流子对导电都起作用
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的晶体管 它是电流控制器件 基本结构有 两种类型
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由三层半导体构成 中间一层叫基区 基区宽度应比少数载
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流子复合长度还小 另两层叫发射区 和集电区 各自的
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引出电极分别叫做基极 发射极 集电极 发射区与基区之间形
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成发射结 集电区与基区之间形成集电结 在共发射极电路中 当
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发射结加正向偏压 注入电流 集电结加反向偏压时 则晶体
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012
管处于放大状态 集电极可获得很大的输出电流 约为
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0/3 4012
为共发射极电流放大系数 一般在 之间 这就是晶体管
4 , 567 866 ,
的放大作用 一般可得到很强的电流 电压及功率放大能力 结
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型晶体管理论是 年肖克莱提出的 年制成合金结晶体
59:9 %59;5
微 电 子 技 术 ##
管 年制成第一只硅晶体管 年制成扩散型晶体管
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