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5996 技 术 科 学 微电子技术 半导体集成电路技术 半导体 见第一卷中的 半导体 ! # $% 晶体管 见第一卷中的 晶体管 ! # $% 双极 型 晶体管 电子和空穴两种类型载流子对导电都起作用 ! ’ 的晶体管 它是电流控制器件 基本结构有 两种类型 % % * + ()( )() 由三层半导体构成 中间一层叫基区 基区宽度应比少数载 , ’, - 流子复合长度还小 另两层叫发射区 和集电区 各自的 , ’ ’, . / 引出电极分别叫做基极 发射极 集电极 发射区与基区之间形 * * % 成发射结 集电区与基区之间形成集电结 在共发射极电路中 当 , % , 发射结加正向偏压 注入电流 集电结加反向偏压时 则晶体 , , , 012 管处于放大状态 集电极可获得很大的输出电流 约为 , , , 0/3 4012 为共发射极电流放大系数 一般在 之间 这就是晶体管 4 , 567 866 , 的放大作用 一般可得到很强的电流 电压及功率放大能力 结 % * % 型晶体管理论是 年肖克莱提出的 年制成合金结晶体 59:9 %59;5 微 电 子 技 术 ## 管 年制成第一只硅晶体管 年制成扩散型晶体管 !#$% !#$

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