电晶体与无稳态振荡电路259KB.PDF

電晶體(Transistor) 簡介 代號為 「Tr 」或「Q 」 主要可分為兩類: • 雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT) • 場效應電晶體(field-effect +5V 0V +5V transistor, FET) Metal(金屬線) Gate N+ - - - - N+ - Source Drain P-基板(0V) BJT簡介 BJT電晶體很像二極体 ，但比二極體多一個接合面 將二層N型半導体 ，中間夾一層很薄的P型半導体 ， 即成NPN型電晶體 ； 將二層P型半導体 ，中間夾一層很薄的N型半導体 ， 即成PNP型電晶體 。 P N P N P N BJC構造 將電晶體的三層元件分別連出接線成為電 極 : •中間稱為基極 (Base, B) • 兩極分別為射極(Emitter, E)和 集極(Collector, C) 射極 集極 射極 集極 P N P N P N 基極 基極 BJC電路符號 PNP NPN 箭頭 代表電子流的方向 ，射極之箭頭向內的 為PNP型；射極之箭頭向外的為NPN型 BJC運作原理 電晶體要正常工作 ，必須加以適當的電壓， 稱為 「偏壓」 基極與射極間(B-E間)接順向偏壓 集極與基極間(C-B間)接逆向偏壓 射極 集極 P N P 基極 BJC運作原理 電洞從射極(E)進入基極(B)，循兩條路徑流動: •一部分流到基極(B)，由於基極(B)雜質濃度低 ，電子數較少， 故流入基極的電流(Ｉ )較小 B •另一部分穿過基極(B)進入集極(C)，由於B寬度很薄 ，當電洞 大量注入時 ，會擴散到C接面 ，進而被電場吸引，流至C接腳 射極(E)電流=基極(B)電流+集極(C)電流。(I=I +I) E B C 射極