EMC电磁兼容测试报告2.doc

产 品 名 称 NAME OF SAMPLE 智能读卡锁 商 标 型 号 TRADE MARK TYPE CHD1200M 制 造 厂 商 MANUFACTURER 深圳市纽贝尔电子有限公司 委 托 单 位 CLIENT 深圳市纽贝尔电子有限公司 检 验 类 别 TEST SORT 委托 检 验 项 目 TEST ITEM 静电放电抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度 深圳电子产品质量检测中心 SHENZHEN ELECTRONIC PRODUCT QUALITY TESTING CENTER  深 圳 电 子 产 品 质 量 检 测 中 心 检 验 记 录 第 2 页 共 页 样品名称 智能读卡锁 商 标 / 制造厂商 深圳市纽贝尔电子有限公司 型号规格 CHD1200M 委托单位 深圳市纽贝尔电子有限公司 取样方式 委托人送样 抽样单位 / 抽样母数 1台 抽样地点 / 样品数量 1台 生产日期 -- 抽样日期 / 送检日期 2008年11月14日 检验日期 2008年11月14日--2008年12月4日 检验环境 15～35℃ 45～75%RH 样品说明: 检测样品1台，检测编号：1#，检测前后样品外观完好，功能正常。 测试时供电电压：DC 12V 检验项目: 静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度 检测依据: IEC 61000-4-5:2005、IEC 61000-4-2：2001、IEC 61000-4-4-2004、企业要求 检验概况: 依据标准和企业要求对1台样品分别进行了静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度共3项的检测，测试结果均符合企业要求。详见后页。 检验结论: 共检3项，3项均符合企业要求 检验负责人： 审核： 批准： 职务： 年 月 日 年 月 日 年 月 日 抗扰度试验判据说明： 序号 判定准则类别 说明 1 判据A 试验中EUT在规范极限值内性能正常 2 判据B 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复 3 判据C 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统重调(或复位) 4 判据D 试验中EUT因装置(或元件)损坏而不可恢复的功能降低或丧失 μs（短路电流波形8/20μs），2Ω内阻 正（或负）-地：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50μs（短路电流波形8/20μs），12Ω内阻 信号线对线：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50μs（短路电流波形8/20μs），15Ω内阻 信号线对地：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50μs（短路电流波形8/20μs），15Ω内阻 要求符合性能判据B。 试验布置：严格按标准要求。 试验过程：：浪涌（冲击）电压施加在EUT的DC电源和信号线端口，60秒钟一次，正、负极性各做5次。 试验电压由低等级增加到规定的试验等级，较低等级均应满足要求。 EUT表现：在整个试验过程中没有出现危险或不安全的后果，试验中及试验后，EUT工作正常，表现出抗扰能力。符合性能判据 A 。 描述如下：受试设备在试验前正常工作，试验中及试验后EUT工作正常。符合性能判据要求。 检 验 人： 校 核 人： 检验日期： 校核日期： 抗扰度试验判据说明： 序号 判定准则类别 说明 1 判据A 试验中EUT在规范极限值内性能正常 2 判据B 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复 3 判据C 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统重调(或复位) 4 判据D 试验中EUT因装置(或元件)损坏而不可恢复的功能降低或丧失 产品名称：智能读卡锁 商标型号：CHD1200M 样品编号：1# 试验条件：温度 24 ℃ ，湿度： 52 ％RH ，正常大气压。 电磁条件保证受试设备正常工作，并不影响试验结果。 EUT状态：试验前工作正常，试验中受试设备刷卡及RS485命令开锁正常。，使受试设备处于正常工作状态。 试验等级：a) 接触放电：试验电压6kV。 b) 空气放电：试验电压8kV。 要求符合性能判据 B 。 试验布置：严格按标准要求。 试验过程：a) 对EUT可接触的导电表面、螺钉、端口等金属体进行接触放电，分别选择4个以上试验