位带操作试验.docVIP

位绑定操作实验 实验目的 (1)掌握LM3S8962中的位绑定存储区对位操作的基本原理和使用方法 (2)掌握CCS开发环境平台 2.实验内容 (1)ARM的初始化配置 (2)通过位绑定操作在OLED上最终显示DECAFBAD 3.位带操作的工作原理 CM3中支持位绑定操作的两个内存区的范围是：SRAM区中的最低1MB空间(00x200FFFFF)；片上外设区中的最低1MB空间(0 0x400FFFFF)。对于SRAM内存区，位绑定别名的重映射如表1所列。对于片上外设，映射关系如表2所列。 表1 SRAM区中的位绑定地址映射 位绑定区 等效的别名地址 位绑定区 等效的别名地址 00 00 00 00 01 00 01 00 02 00 02 00 … … … … 031 0x2200007C.0 0x200FFFFC.31 0x23FFFFFC.0 表2 片上外设区中的位绑定地址映射 位绑定区 等效的别名地址 位绑定区 等效的别名地址 00 00 00 00 01 00 01 00 02 00 02 00 … … … … 031 0x4200007C.0 0x400FFFFC.31 0x43FFFFFC.0 位绑定区的一个地址单元的每一位映射到相应的位绑定别名区的一个字(只有LSB才有效的字)。当一个别名地址被访问时，会先把该地址重映射为位绑定地址。对于读操作，读取位绑定地址中的一个字，再把需要的位右移到LSB，并把LSB返回。对于写操作，把需要写的位左移至对应的位序号处，然后完成一个地址单元的读-修改-写过程。这样对位绑定别名区操作时，可以不用屏蔽操作，提高了位操作的速度。对位绑定区中地址0位2执行读和写操作的设置过程分别如图1和图2所示。 图1 从位绑定别名区中读数据 图2 写数据到位绑定别名区 软件流程 通过位绑定操作，对SRAM位绑定区中的一个32位数据从最高位到最低位进行逐位修改，并最终在OLED上显示decafbad。 图3 在OLED上显示32位数据的流程图 图4 主函数流程图 5.实验步骤 (1)运行CCS，添加驱动库driverlib，打开路径D:\LM3S8962\My Documents\boards\ek-lm3s8962，选择位绑定操作工程的文件夹bitband，单击完成添加到编辑界面； (2)浏览实现预定功能的源代码，编译、连接，检验并修正错误； (3)编译无错误，点击调试按钮进入调试界面，通过单步运行和设置断点调试程序，通过观察窗口观察字符数组pcBuffer[9]中各个元素的变化； (4)单步调试完成后，取消断点，点击运行按钮，观察OLED显示器的显示。 实验结果：首先在OLED上显示字符串Bit banding...延时1s后逐位修改字符串，最终在OLED上显示DECAFBAD，与程序中要求输出的数据相同，延时2s后显示Success!。