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可编程逻辑器件原理与应用第五章基本逻辑单元设计宋克柱中国科学技术大学快电子实验室核探测与核电子学国家重点实验室 skz@ustc.edu.cn 中国科学技术大学快电子学实验室宋克柱 University of Sci. Tech. of China Fast Electronics Lab skz@ustc.edu.cn 5-1 时序分析基础 1. 异步（Asynchronous ）静态RAM的读写时序 2. 同步（Synchronous ）静态RAM的读写时序 3. 异步FIFO （first in first out ） 4. 同步FIFO 中国科学技术大学快电子学实验室宋克柱 University of Sci. Tech. of China Fast Electronics Lab skz@ustc.edu.cn 1. 异步（Asynchronous ）静态RAM的读写时序 Asynchronous Static RAM 读写时序图中国科学技术大学快电子学实验室宋克柱 University of Sci. Tech. of China Fast Electronics Lab skz@ustc.edu.cn Asynchronous Static RAM 中国科学技术大学快电子学实验室宋克柱 University of Sci. Tech. of China Fast Electronics Lab skz@ustc.edu.cn FPGA读写RAM连接图 addr data FPGA /CE RAM /OE /WE 中国科学技术大学快电子学实验室宋克柱 University of Sci. Tech. of China Fast Electronics Lab skz@ustc.edu.cn tRC： min 7ns。 tAA： max 7ns。 tOHA： min 3ns。中国科学技术大学快电子学实验室宋克柱 University of Sci. Tech. of China Fast Electronics Lab skz@ustc.edu.cn 中国科学技术大学快电子学实验室宋克柱 University of Sci. Tech. of China Fast Electronics

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