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2013年12月 西安电子科技大学学报(自然科学版) Dec．2013
OFXIDIAN V01．40No．6
第40卷第6期 JOURNAL UNIVERSITY
doi：10．3969／j．issn．1001—2400．2013．06．010
一种P沟VDMOS器件的研究与实现
蒲 石，郝 跃
(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安710071)
摘要：分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系．采用Silvaco对该
器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化，并设计了针对该器件的终端结构．完全依靠国
A的P沟
内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺，并据此研制出了耐压值80V、输出电流14
VDMOS．测试了其静态和动态参数，均达到了设计要求．
关键词：P沟VDMOS；外延层优化；结终端技术
中图分类号：TN432文献标识码：A 文章编号：1001—2400(2013)06—0058—04
andrealizationofP—channelVDMOS
Development
PUShi．HA0Yue
of Wide SemiconductorMaterials
EducationLab．of
(Ministry Key Band-Gap
and
Devices，XidianUniv．，Xi’an710071，China)
Abstract：The thebreakdown andtheon-state
relationshipamong voltage，theepitaxiallayerparameter
resistanceofP-channelVDMOShasbeen
analyzed．ByusingSilvaco，thestructure，physicalparameters
andelectrical ofthep-ehannelVDMOScelIaresimulatedand terminal
properties optimized．Also，a
structurehasbeen forthisdevice．An80V／14AP—channel VDMOShasbeen
designed power successfully
basedonthe ofdomestic bothofitsstatiCand
andmanufactured fab，with dynamic
designed totally process
characteristicsthe criterionthetests．
reachingdesign during
Words：P-channel termination
Ke
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