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半导体检测与测试技术
Semiconductor
Inspection＆Testing
Technologies
DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．03．016
基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法
胡伟佳1’2，孔学东2，章晓文2
(1．广东工业大学材料与能源学院，广州510006；2．工业和信息化部电子第五研究所，广州510610)
摘要：随着CMOS工艺的发展，栅介质层厚度不断减薄，导致栅漏电流不断增大，这使传统
测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si／SiO，界面特性研究，
分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响，对突变曲线做了深入的
理论分析，指出了需要严格的选择脉冲频率、幅值、反偏置电压和占空比，才能保证测量的准确
性。这些探索为电荷泵技术在MOS器件中的界面电荷测量和电荷泵曲线分析提供实验指导和理
论依据。
关键词：电荷泵技术；脉冲频率；反偏压；脉冲幅值；占空比 ．
中图分类号：TN386．1文献标识码：A
MeasurementMethodsofInterface Basedon
Property Charge
inMOSDevices
PumpingTechniques
Hu Xiaowen2
Weijial一，KongXuedong2，Zhang
Materialsand 5
(1．Facultyof Energy，GuangdongUniversityof 10006，China；
Technology，Guangzhou
2．The5“Electronic
ResearchInstitute and
ofthe
MinistryofIndustryInformationTechnology，Guangzhou510610，China)
thicknessofthe
Abstract：The oxideis scaleddownwiththe ofCMOS
gate continually development
wouldresultin the current
technologies，which enhancinggateleakage
conventionalmethodscouldnotbesuitablefor interface inultra-thinoxide
characterizingproperty gate
MOSFET’s．The methodswereintroducedtocharacterizethe interface
charge
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