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V01．9
第9卷第5期 纳米技术与精密工程 No．5
2011年9月 andPrecision 20ll
NanotechnologyEngineering SCp．
基于电子束曝光的微区加热技术
孔祥东，韩 立，初明璋，薛 虹
(中国科学院电工研究所，北京100190)
FIB／
DualBeam
摘要：提出了基于电子束曝光的微区加热技术．在研究样品吸收能量密度的基础上。在FEl820
sEM系统上对30keV电子来曝光Pb、Bi、sn、Al金属薄膜以及15keV电子柬曝光s180s正性抗蚀剂微结构时的微
区加热效应进行了实验研究．结果表明，在一定的曝光剂量下样品表面出现了熔化现象，证明采用电子束曝光可以
使某些材料微小区域表面达到相变温度或熔点以上，为使用电子柬曝光技术完成某些材料的微纳区域表面热处理
以及制备具有光滑曲面的微结构提供了新途径．
关键词：电子柬；微区加热；吸收能量密度；剂量；表面改性
中图分类号：TN305 文献标志码：A 文章编号：1672-6030(2011)054)440-06
BasedonElectronBeam
Micro-HeatingTechnology Lithography
KONG Li，CHU
Xiang—dong，HANMing—zhang，XUEHong
ofElectrical of
(Institute Engineering，ChineseAcademySciences，Beijing100190，China)
on
Abstract：A basedelectronbeam was
micro—heatingtechnology lithographypresented．Bystudying
theabsorbed of effectsofelectronbeam onthesur-
energydensitysamples，themicro—heating lithography
facesof filmsat30keVandonthesurfacesofS1805
andaluminum resistmicrostrue-
lead，bismuth，tin
turesat15keYwere FEl820DualBeamFIB／SEMworkstation．There—
investigatedusing
experimentally
suitsshowthatthesurfacesweremeltedwhenelectronbeamdoseswe
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