碲镉汞液相外延薄膜生长技术及性能.pdf

第 卷第 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 19 2 Vol. 19 No.2 年 月 2000 4 . Infrared Millim. Waves April 2000 碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能 黄根生 陈新强 杨建荣 何 力 (中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心 红外物理国家重点实验室 上海 200083D 摘要 用液相外延的方法在 衬底上生长 1-x x 材料 获得了表面形貌好 位错密度低 组份均匀的碲镉汞 CdZnTe ~g Cd Te 外延材料 生长工艺对材料的参数控制有较好的重复性 外延材料经热处理后 材料的 型和 型电学参数都达到较好. P N 的水平 并具有良好的可重复性 . 关键词 液相外延 ~gCdTe 组份 电学参数 . GROWTH ANI CHARACTERIZATION OF LIOUII PHASE 1-x x EPITAXIAL Hg Cd Te FIL S ~UANG Gen Sheng C~EN Xin Giang YANG ian Rong ~E Li- - - (Epitaxy Research Center for Advanced Materials and Devices National Laboratory for Infrared Physics Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences Shanghai 200083 ChinaD - 1-x x - (111D Abstract The liguid phase epitaxy gro th of ~g Cd Te films from Te rich solution on CdZnTe substrate in slide boat as reported Microscope and IR transmittance spectra and ~all measurements ere carried out to character-. . 1-x x 1 3 3 5 8 14 i e the guality of epilayers ~g Cd Te epilayers in m m m ranges ere gr