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IGBT近年来的发展概况mdash;mdash;赵善麒
Power for the Better
中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会
主题报告
IGBT器件及其应用
赵善麒
江苏宏微科技有限公司
2009年8月23 日，哈尔滨
Power for the Better
Power for the Better
报告内容
IGBT器件 IGBT应用
1. IGBT 是什么？ 1. IGBT 与 MOSFET
2. 常规IGBT结构 2. IGBT的选型
3. IGBT 衍生器件 3. IGBT的应用
4. IGBT的封装
5. IGBT模块的优点
Power for the Better
Power for the Better
IGBT 器件
Power for the Better
IGBT的发明 什么是IGBT？
IGBT — 绝缘栅双极晶体管，发明于1982年
Gate
Emitter
MOSFET＋PNP双极晶体管
n+ n+
IGBT＝ p+ Body region
VDMOS ＋PN结 n- Drift region
n+ Buffer layer
p+ Substrate (injecting layer)
Collector
Power for the Better 4
I
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