STM32输入输出模式.doc

最近学习了stm32的GPIO的相关操作，发现其GPIO的配置模式有好几种，包括： 1. 模拟输入； 2. 浮空输入； 3.上拉输入； 4.下拉输入； 5. 开漏输出； 6.推挽输出； 7.复用开漏输出； 8.复用推挽输出 如图是GPIO的结构原理图： 初学感觉起来，还是挺复杂的，我在这里想简单的说说自己的理解，希望大家多多交流。 1.模拟输入 从上图我们可以看到，我觉得模拟输入最重要的一点就是，他不经过输入数据寄存器，所以我们无法通过读取输入数据寄存器来获取模拟输入的值，我觉得这一点也是很好理解的，因为输入数据寄存器中存放的不是0就是1，而模拟输入信号不符合这一要求，所以自然不能放进输入数据寄存器。该输入模式，使我们可以获得外部的模拟信号。 2.浮空输入 该输入状态，我的理解是，它的输入完全由外部决定，我觉得在数据通信中应该可以使用该模式。应为在数据通信中，我们直观的理解就是线路两端连接着发送端和接收断，他们都需要准确获取对方的信号电平，不需要外界的干预。所以我觉得这种情况适合浮空输入。比如我们熟悉的I2C通信。 3上拉输入 上拉输入就是在输入电路上使用了上拉电阻。这种模式的好处在于我们什么都不输入时，由于内部上拉电阻的原因，我们的处理器会觉得我们输入了高电平，这就避免了不确定的输入。这在要求输入电平只要高低两种电平的情况下是很有用的。 4下拉输入 和上拉输入类似，不过下拉输入时，在外部没有输入时，我们的处理器会觉得我们输入了低电平。 5开漏输出 开漏输出，输出端相当于三极管的集电极，所以适合与做电流驱动的应用。要得到高电平，需要上拉电阻才可以。 6推挽输出 推挽输出使用了推挽电路，结合推挽电路的特性，它是由两个MOSFET组成，一个导通的同时，另外一个截至，两个MOSFET分别连接高低电平，所以哪一个导通就会输出相应的电平。推挽电路速度快，输出能力强，直接输出高电平或者低电平。 7复用开漏和复用推挽 我们知道这只是对GPIO的复用而已。使普通的GPIO具有了别的功能。 以上，是我对GPIO几种输入输出模式的理解，欢迎大家和我交流。 另外我还想说说我对位带操作在SRAM中的优势的理解： Stm32的位带操作在SRAM中的优势是特别明显的，那就是在利用位带操作之后，我们可以对每一个比特进行读写。我们知道之前的处理器中存储数据有固定的对其格式，有字节对齐，字对齐，双字对齐等等，这样的话，如果一个数据只有8位，而采取字对齐的方式的话（16位）就会浪费掉存储空间。但是在有了位带操作之后，我们不用担心这种情况，因为我们可以充分的利用每一比特空间。 推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件; 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源低定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。 详细理解： 如图所示，推挽放大器的输出级有两个“臂”（两组放大元件），一个“臂”的电流增加时，另一个“臂”的电流则减小，二者的状态轮流转换。对负载而言，好像是一个“臂”在推，一个“臂”在拉，共同完成电流输出任务。当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经VT3拉出。这样一来，输出高低电平时，VT3 一路和 VT5 一路将交替工作，从而减低了功耗，提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路，管子导通电阻都很小，使RC常数很小，转变速度很快。因此，推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。 开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内). 开漏形式的电路有以下几个特点： 1.利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。 2.一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时，只能输出低电平，如果需要同时具备输出高电平的功能，则需要接上拉电阻，很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压，便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。（上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小，所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。） 3.OPEN-DRAIN提供