三极管原理全总结.doc

1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NPN型三极管，位于放大区时，UcUb集电极反偏，UbUe发射极正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。 NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。 NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VCVBVE。 PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VCVBVE。 2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止 （1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc基极电压Ub。放大条件：NPN管：UcUbUe；PNP管：UeUbUc。 （2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。即饱和导通条件：NPN管：UbUe,UbUc，PNP型管：UeUb,UcUb。饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。此时的，iC几乎仅决定于I，而与U无关，表现出I对的控制作用PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。这时的三极管c、e 极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。 3、三极管三种工作区的电压测量 如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。 饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V. 放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压. 截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源. 在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。这是对可靠截止而言，实际上当Ube0.5V时，即已进入截止状态。对于PNP管，其电压符号应当相反。 截止区：就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0～0.5V 之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。 当Ube在0.5～0.7V 之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。当在维修过程中，测得Ube在0.5～0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态。 当三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。三极管在饱和时的Uce 称为饱和压降。当在维修过程中测量到Ube在0.7V 左右、而Uce低于0.1V 时，就可知道三极管处在饱和状态。Ub=Uce且UceUbeUbeUon且UCE=UbeUbeUon且UceUbe在三极管的集电极与电源之间接一个电阻共集、共基、共射指的是电路，是三极管电路的连接状态而不是三极管。所谓“共”，就是输入、输出回路共有的部分。其判断是在交流等效电路下进行的。在交流通路下，电源正极相当于接地。哪一个极接地，就是共哪个极电路。 ?共集电极电路----三极管的集电极接地，集电极是输入与输出的公共极； 共基极电路----三极管的基极接地，基极是输入与输出的公共极； 共发射极电路----三极管的发射极接地，发射极是输入与输出的公共极。 8.1、NPN管在电路中的应用 区别很大。 首先，你的图有些问题，在B极、E或C极回路上必须要有限流电阻，不然会烧元件或者拉低电压的。 Q1应该是共集电极电路吧，Q2算共射电路。一般情况不使用Q1电路，都使用Q2电路。 Q1电路中，随着Q1的导通，E极电压上升，升到E极电压上升到3V（锗管）或2.