PWB工艺流程介绍.ppt

2009-10-24 PWB工艺流程 * e-Flex工艺介绍——冲压加工 使用冲压设备，将Flex柔性板多余部分冲掉，形成最终的柔性板外形 2009-10-24 PWB工艺流程 * I社/C社品： I社目前产品为N18和N33：为一贯品； C社目前产品为OII、OIC、OHC：为追加工品 2009-10-24 PWB工艺流程 * I社/C社品： Layer1 OII： I社N18、N33为2+4+2的层结构,其中存在两层CCL:H11\H12; 两者的区别是N18内内层是0.06t的薄板，N33内内层是0.05t的薄板。两者都是全面镀金的产品且外层使用PP+Cu.H10层存在100um激光孔，外层存在75um激光孔。在北京量产流动到最终并出货给客户！ C社OII、OIC为1+8+1的层结构,其中存在三层CCL:H11\H12\h13; 两者的区别是OII外层存在75um激光孔，OIC外层存在100um激光孔。两者都是全面镀金的产品且外层使用PP+Cu,在北京只量产流动到M层PT后送往日本进行后续加工并出货给客户！ 目前N33因为内内层为0.05t的薄板,所以在二工厂量产。其他品种在一工厂量产，都是使用415*510的尺寸！ Layer10 2009-10-24 PWB工艺流程 * N18是2次激光孔的HDI品，因此与O社产品相比有若干不同的地方。 ① I社辅材存在IVH和LVH，因而镀铜时两方面都须考虑。 ②外層同时存在filled via和PTH，首先将filled via填满之后再对PTH进行镀铜。 ③N18是全面金品，因而跳过MASK工程做Ni/Au。对于金异常析出，采用在Ni/Au前处理前追加二回LP前处理进行对应。 （为了去除金未着的原因的LPSR残渣） PT　形成 AOI BOX INM I社H11、H12 I社H10 DRL Laser　100um unfilled　　　　PNP PLS LPT Desmear HET PRS XRDTRM MST PT　形成 AOI BOX I社主材 unfilled　　　　PNP PT　　形成 DRL Laser 75um PLS LPT Desmear filled　　　　PNP 13um HET HET XRD HET PRS XRDTRM MST（PP+CU FOIL） AOI LPSR LPSR Jetのみ LPSR Jetのみ Ni/Au RTC WPM TES FVI FQA WRP STG REM I社产品未着模式（青柳） ■：2JD和OII不同的工序 ■：OII和N18不同的工序 I社N18工艺流程介绍： 2009-10-24 PWB工艺流程 * Sharp产品： SHARP社产品为典型的2+4+2结构，只是外层采用Isola材+Cu箔，而非RCF。 另外，表面处理为全面金(与I社C社产品同)。 2009-10-24 PWB工艺流程 * 全面金流程： UV Cure LPSR前处理第一回 （Jet Sｃrub) 放置1Hr LPSR本干燥 LPSR前处理第二回 （Jet Sｃrub) 镀Ni-Au前处理 （Soft etch) 镀Ni-Au 镀Ni-Au前处理 （Soft etｃｈ OFF） 下工序 UV Cure LPSR本干燥 镀Ni-Au前处理 （Soft etch) Auめっき 剥膜 下工序 上面右图为现有全面镀金品的工艺流程，为了降低成本，制造技术正在对工艺流程做优化变更。 部分金产品流程 全面金产品流程 2009-10-24 PWB工艺流程 * XOR品： 连带不良：一般产品某个piece需要废弃，实际整个Frame都需要废弃，从 而导致连带的良品piece也需要废弃，从而导致的废弃率上升。 XOR: X-out Replacement；简单来讲就是将产品Frame上需要废弃的piece通过外形加工的方 法剔除掉，再替换上良品piece，以提高产品成品率。目前XOR工艺正在不断完善过程中。 注意：不是所有产品都满足XOR加工要求; 2009-10-24 PWB工艺流程 * PCL品： PCL: Printed Conductive Layer PCL品特殊点：碳图形除了之前的功能外，同时增加了线路功能，如示意图中所示。从工艺角度，PCL 品存在多次LPSR印刷。 2009-10-24 PWB工艺流程 * 产品除了简单的用”3+2+3””2+4+2”的命名方式表示层构成，还有一种 更详细的层构成命名方式： 品名/品种定义： 以二工厂”3+2+3”结构为例，可以命名为： R34-71 工厂 激光次数 层数 孔类型 产品流动类型 * * 北京揖斐电电子有限工司目前做为手机主板的量产工厂，