- 1、本文档共36页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
储存器实验foundation
2009年2月 EDA室 卢庆莉 编写 存储器的讲课课件 一、存储器的应用 1、存储器的学习要点: (1)半导体存储器概念: 存储器是电子计算机及某些数字系统中不可缺少的部分,用来存放二进制代码表示的数据?系统指令?资料及运算程序等。 (2)存储器的主要指标: 存储容量 和 工作速度 2、存储容量: 存储容量是衡量工作能力大小的指标,容量越大,存储的信息越多,工作能力越强。 (1)存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用若干个“K”单元表示。例如: 210=1024 称 1K单元 , 212=4096 称 4K单元。 (2)存储容量为: n字(字) × m位(位) 3、存取速度(工作速度) (1)存取速度用存取周期表示。 从存储器开始存取第一个字到能够存取第二个字为止。所需的时间称为存取时间或存取周期。它是衡量存储器存取速度的重要指标。 (2)存取周期越短,说明存取速度越高。 4、存储器按功能分类: 5、实验中所用器件型号为:28C64B型E2PROM(电可改写的ROM) (1)结构:采用浮栅隧道氧化层MOS管。它有两个栅极:控制栅GC 和 浮置栅Gf。 (2)特点:浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区,其厚度仅为10~15um , 可产生隧道效应。写入、擦除:利用隧道效应。 (1)存储容量为:8K×8位=213 × 8位; (2)总共有13根地址线:A0~A12。 使用74LS161构成模8计数器、为EEPROM提供三位地址信号。 时钟信号可取实验箱上8KHz信号 28C64B使用注意事项: 1、施加5V工作电压; 2、未用的地址脚接“0”; 3、未用的双向数据脚悬空; 4、片选脚CE接“0”; 5、输出使能脚OE接地; 6、写入使能脚WE接“1”; 7、空脚NC不连接。 * * 主要授课内容: 一、存储器的应用 二、foundation3.1开发软件的应用 三、可编程器件的实验板的介绍 ROM 固定ROM:内容由厂家制作。ROM 可编程ROM:可一次性编程。PROM 可擦除可编程ROM:可多次改写 EPROM RAM 双极型 RAM 单极型 (MOS) SRAM(静态) DRAM(动态) SAM MOS移位寄存器 电荷耦合器件CCD移位寄存器 Cache 高速缓存 E2PROM UVEPROM GC Gf 隧道区 实验内容:教材下册P214 T1 实验提示: F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 F4= 1 0 1 1 1 0 0 1 实验中所用器件型号为:28C64B型E2PROM(电可改写的ROM) F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 →D0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 →D1 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 →D2 F4= 1 0 1 1 1 0 0 1 →D3 数据D7~D0:0F 07 0A 0E 0D 01 04 0C 使用8个存储单元,4根数据线。 0F 07 0A 0C 8192个存储单元 缓冲区中的存储数据的填写 高9位地址 存储数据区 低4位地址 缓冲区中的存储数据的填写 二、foundation3.1开发软件的介绍 逻辑描述方式 电路图描述(实验中应用) 硬件描述语言描述(建议学习) 状态机流程图描述 硬件描述语言分类 国际标准硬件描述语言 VHDL(军方)、 Verilog(商业) 各公司专用硬件描述语言(ABEL、CUPL 等) 输入方式 开发流程 逻辑描述 逻辑功能仿真 定时仿真 下 载 实测验证 下载是指将开发软件生成的反映逻辑关系的数据,通过一定的方法输入到可编程器件中,并使其具有用户要求的逻辑的操作过程,也称编程或数据配置。 下载方式 用专用下载电缆下载(JTAG标准口) 接计算机并口 用下载电缆下载示意图 可编程器件选用 考虑内部电路规模大小(以门为计量单位) 考虑速度(最高使用频率) 考虑下载方式需要 考虑器件延时的确定特性(CPLD 与FPGA的区别) 开发软件的性能(仿真的准确度、对描述方式的支持、对后续服务的支持) 器件生命周期 器件提供厂商的发展(市场份额) 三、可编程器件的下载板的介绍 接“+5V” 接“GND” 时钟 实验箱插座号 95108管脚号 并口线必须在关闭电源的情况下插拔!! 实验提示——存储器应用 实验箱插座 28C64芯片插在实验箱40脚插座上,芯片缺口朝左、往
您可能关注的文档
- 信息技术优秀课件.ppt
- 信息科技 2.doc
- 信息系统监理师投资控制(第六讲).ppt
- 信息技术与农业信息化.ppt
- 信息系统项目管理之项目启动.ppt
- 信息组织 3.4第四节 句法控制.ppt
- 信息组织 5.2叙词语言词汇控制.ppt
- 信息论与编码zjh201209zjh第五章习题.ppt
- 信息物理社会融合.ppt
- 信效度分析 程萌.ppt
- GB/T 39560.10-2024电子电气产品中某些物质的测定 第10部分:气相色谱-质谱法(GC-MS)测定聚合物和电子件中的多环芳烃(PAHs).pdf
- 中国国家标准 GB/T 39560.10-2024电子电气产品中某些物质的测定 第10部分:气相色谱-质谱法(GC-MS)测定聚合物和电子件中的多环芳烃(PAHs).pdf
- 《GB/T 39560.10-2024电子电气产品中某些物质的测定 第10部分:气相色谱-质谱法(GC-MS)测定聚合物和电子件中的多环芳烃(PAHs)》.pdf
- GB/T 39560.302-2024电子电气产品中某些物质的测定 第3-2部分:燃烧-离子色谱法(C-IC)筛选聚合物和电子件中的氟、氯和溴.pdf
- 中国国家标准 GB/T 39560.2-2024电子电气产品中某些物质的测定 第2部分:拆解、拆分和机械制样.pdf
- 中国国家标准 GB/T 39560.302-2024电子电气产品中某些物质的测定 第3-2部分:燃烧-离子色谱法(C-IC)筛选聚合物和电子件中的氟、氯和溴.pdf
- GB/T 39560.2-2024电子电气产品中某些物质的测定 第2部分:拆解、拆分和机械制样.pdf
- 《GB/T 39560.2-2024电子电气产品中某些物质的测定 第2部分:拆解、拆分和机械制样》.pdf
- 《GB/T 39560.303-2024电子电气产品中某些物质的测定 第3-3部分:配有热裂解/热脱附的气相色谱-质谱法(Py/TD-GC-MS)筛选聚合物中的多溴联苯、多溴二苯醚和邻苯二甲酸酯》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 39560.303-2024电子电气产品中某些物质的测定 第3-3部分:配有热裂解/热脱附的气相色谱-质谱法(Py/TD-GC-MS)筛选聚合物中的多溴联苯、多溴二苯醚和邻苯二甲酸酯.pdf
文档评论(0)