半导体器件物理_6孟庆巨.pptx

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2017-11-02 发布于湖北
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半导体器件物理_6孟庆巨.pptx

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半导体器件物理_6孟庆巨

第六章薄膜晶体管（TFT）;主要内容;TFT的发展历程;TFT的发展历程;;TFT的种类;TFT的常用器件结构;TFT的工作原理;;TFT的I-V描述;p-Si TFT的电特性;2. p-Si TFF器件典型的输出和转移特性曲线;3. p-Si TFF中的Kink 效应;4. Gate-bias Stress Effect (栅偏压应力效应）;负栅压应力;5. p-Si TFF C-V特性;6. p-Si TFF的改性技术;p-Si TFT制备工艺流程;2、完整的底栅顶接触型结构;(a);(d);p-Si TFT制备中的关键工艺技术;2002年;2、p-Si 薄膜制备技术;（2）Si 薄膜制备方法比较;; 低压化学气相沉积(LPCVD: Low-Pressure CVD); 等离子增强化学气相沉积(PECVD: Plasma Enhanced CVD);（3）a-Si薄膜晶化方法比较;对于不同晶化方法在不同晶化温度和时间下制备TFT的迁移率（数据值）.;（4）p-Si TFT制备中的掺杂及杂质激活;与VLSI掺杂技术相比，p-Si掺杂特点：;TFT器件典型性能参数及特点比较;TFT的主要应用;柔性基底上制备的超高频RFCPU芯片;基于有机TFT??全打印7阶环形振荡器电路;全打印技术制备n、p沟TFT;3. 敏感元件，如：气敏、光敏、PH值测定;思考题