半导体封装流程完整.ppt

FOL– Wire Bonding 引线焊接 Wire Bond的质量控制： Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力） Wire Loop（金线弧高） Ball Thickness（金球厚度） Crater Test（弹坑测试） Intermetallic（金属间化合物测试） Size Thickness FOL– 3rd Optical Inspection三光检查 检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品 EOL– End of Line后段工艺 Molding 注塑 EOL Laser Mark 激光打字 PMC 高温固化 De-flash/ Plating 去溢料/电镀 Trim/Form 切筋/成型 4th Optical 第四道光检 Annealing 电镀退火 EOL– Molding（注塑） 为了防止外部环境的冲击，利用塑封料 把引线键合完成后的产品封装起 来的过程，并需要加热硬化。 Before Molding After Molding EOL– Molding（注塑） Molding Tool（模具） EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特 性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。 Molding参数： Molding Temp：175~185°C；Clamp Pressure：3000~4000N；  Transfer Pressure：1000~1500Psi；Transfer Time：5~15s；  Cure Time：60~120s； Cavity L/F L/F EOL– Molding（注塑） Molding Cycle -块状塑封料放入模具孔中 -高温下，塑封料开始熔化，顺着轨道流向孔穴中 -从底部开始，逐渐覆盖芯片 -完全覆盖包裹完毕，成型固化 EOL– Laser Mark（激光打字） 在产品（Package）的正面或者背面激光刻字。内容有：产品名称，生产日期，生产批次等； Before After EOL– Post Mold Cure（模后固化） 用于Molding后塑封料的固化，保护IC内部结构，消除内部应力。Cure Temp：175+/-5°C；Cure Time：8Hrs ESPEC Oven 4hrs EOL– De-flash（去溢料） Before After 目的：去溢料的目的在于去除模具后在管体周围引线之间 多余的溢料；方法：弱酸浸泡，高压水冲洗； EOL– Plating（电镀） Before Plating After Plating 利用金属和化学的方法，在引线框架的表面 镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿 和热）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及 提高导电性。 电镀一般有两种类型： Pb-Free：无铅电镀，采用的是99.95%的高纯 度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术，符合 Rohs的要求； Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占 15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰； EOL– Post Annealing Bake（电镀退火） 目的： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长的问题;条件： 150+/-5C; 2Hrs； 晶须 晶须，是指锡在长时间的潮湿环境和温度变化环境下生长出的一种须状晶体，可能导致产品引脚的短路。 EOL– TrimForm（切筋成型） Trim：将一条片的引线框架切割成单独的Unit（IC）的过程；Form：对切筋后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状， 并放置进Tube或者Tray盘中； EOL– TrimForm（切筋成型） Cutting Tool Forming Punch Cutting Die Stripper Pad Forming Die 1 2 3 4 EOL– Final Visual Inspection（第四道光检） Final Visual Inspection-FVI 在低倍放大镜下，对产品外观进行检查。主要针对EOL工艺可能产生的废品：例如Molding缺陷，电镀缺陷和Trim/Form缺陷等； The End Thank You！ Introduction of IC Assembly Process Company Logo Logo Logo Introduction of IC A