各向同性湿法腐蚀.ppt

第一步 制备表面坚膜（hard mask） 第二步 复制掩膜版的图案 第三步 湿法腐蚀制备球形腐蚀腔 第四步 移除表面遮蔽层 实验结果对比 a）腐蚀1min，直径120μm孔洞形成的腐蚀腔有效直径是126.7μm，其深度为5.7μm b）腐蚀20min ，直径100μm孔洞形成的腐蚀腔有效直径为155.7μm，而深度为46μm 腐蚀45min后， a）遮盖层孔洞直径和腐蚀腔深度的关系 b）遮盖层孔洞直径和模具直径的关系 图三. 3英寸的硅片上制备了25个不同尺寸的模具阵列 图四. 直径为116.7μm球形模具的扫描电镜图 总结 该实验研究了用各向同性湿法腐蚀技术制备半球形的硅模具。使用这些模具这些模具可以通过传统的复制技术制备复合材料的微透镜。这种模具具有优良的表面平整度，好的均匀性和可重复性。 参考文献： 1. 郭志球 ,柳锡运等. 各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面[J]. 材料科学与工程学报.2007,25(1):95~98 2. Henry F. Erk. Wet etching technology for semiconductor and solar silicon manufacturing-fundamentals [J]. ECS Trans.2010,27(1):1061~1071 3. Henry F. Erk. Wet etching technology for semiconductor and solar silicon manufacturing-fundamentals [J]. ECS Trans.2010,27(1):1073~1080 4. V. B. Svetovoy, J. W. Berenschot, and M. C. Elwenspoek. Precise test of the diffusion-controlled wet isotropic etching of silicon via circular mask openings [J]. Journal of The Electrochemical Society.2006,153(9):641~647 5. K. Furuya, K. Nakanishi, R. Takei, E. Omoda, M. Suzuki et al. Nanometer-scale thickness control of amorphous silicon using isotropic wet-etching and low loss wire waveguide fabrication with the etched material . Appl. Phys. Lett..2012, 100, 251108 6. Jorge Albero1, Lukasz Nieradko1, Christophe Gorecki et al.Fabrication of spherical microlenses by a combination of isotropic wet etching of silicon and molding techniques[J]. OPTICS EXPRESS..2009, 17(8):6283~6292 7. Katsumi Furuya, Youichi Sakakibara, Koichi Nakanishi et al. Fine thickness control of amorphous silicon by wet-etching for low loss wire waveguide. IEEE..2011, 109~111 8. M. Baranski, J. Albero, R. Kasztelanic,C. Goreckia. A numerical model of wet isotropic etching of silicon molds for microlenses fabrication [J]. Journal of The Electrochemical Society,.2011, 158(11):681~688 Thanks * * Spray喷射，dip浸泡 * * BOE是缓冲氧化腐蚀，BHF是缓冲HF * * 首先，硝酸部分分解为二氧化氮，二氧化氮将硅的表面氧化。然后HF再通过腐蚀二氧化硅的过程分解氧化产物。 湿法腐蚀 单击这里添加副标题 * Copyright ? 2012 Andy Guo. All rights reserved。 【目