MIO-TFT深紫外探测器的研究.PPT

MIO-TFT深紫外探测器的研究 卢慧玲 实验目的 做出对深紫外有高灵敏度，高紫外可见光抑制比的TFT结构的日盲型探测器； 日盲型探测器的要求是对285nm的紫外光有响应，对285nm的光响应较小。285nm对应的光子能量是4.35eV,禁带宽度越大，越有可能做到日盲型。三种Mg含量的7%、13%、19%的MIO中，19%的禁带宽度最宽。 重要的实验参数 灵敏度（A/W)：光照下产生的光电流跟光功率的比值。 量子效率：吸收一个光子能够产生的电子-空穴对数。量子效率一般都小于1，在有放大效应的TFT sensor里。量子效率可以大于1. 响应时间和弛豫时间：光开启时和光关闭的时间。 结构 W/L=100:50，氩氧比47:3 AlxGa1-xN * 玻璃基片上直流溅射Hf。氩氧比50:0，气压1Pa，生长速率36.5nm/min,长1min45s，生长约88nm。 阳极氧化Hf。电流密度0.2mA/cm2,电压25V，恒压1h至电流密度5uA/cm2。阳极氧化后，大致剩下38nmHf电极和50nmHfO2栅介质。 新溅射台射频生长19%Mg含量的IMO50nm，气压0.37Pa，射频功率150W，氩氧比分别为49:1、48:2、47:3。本底真空5E-4。 直流溅射生长ITO源漏电极，功率60W，气压0.5Pa，氩氧比40:1.2，本底真空6.5E-4。 N2中250℃退火1h。 Vg=-2V下灵敏度与波长的关系 截止波长在320nm左右。取点太少，下一步测试从600nm开始，每10nm测一个点。 GaN(3.4eV)：截止波长在365nm AlN(6.2eV)：截止波长在200nm,进行掺杂得到AlxGa1-xN 玻璃基片上直流溅射Hf。氩氧比50:0，气压1Pa，生长速率36.5nm/min,长1min45s，生长约88nm。 阳极氧化Hf。电流密度0.2mA/cm2,电压25V，恒压1h至电流密度5uA/cm2。 溅射剥离Mo源漏电极 连续淀积19%的IMO有源层和SiO2钝化层200nm，剥离图形化。有源层厚度分别为20nm，40nm,50nm,80nm。 *