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BJT的几种工作状态 甲类：Q点适中，在正弦信号的整个周期内均有电流流过BJT。 甲乙类：介于两者之间，导通角大于180° iC uCE Q1 UCEQ ICQ VCC iC uCE Q3 ICQ VCC 乙类：静态电流为0，BJT只在正弦信号的半个周期内均导通。 iC uCE Q2 ICQ VCC 甲类功率放大器分析 1.三极管的静态功耗： 若 电源提供的平均功耗： 则 Ic uce Q uceQ IcQ 2.动态功耗 （当输入信号Ui时） 输出功率: 要想PO大，就要使功率三角形的面积大，即必须使Vom 和Iom 都要大。 最大输出功率: M N Uom Iom 功率三角形 iC uCE Q UCEQ ICQ VCC 电源提供的功率 此电路的最高效率 甲类功率放大器存在的缺点： 输出功率小 静态功率大，效率低 乙类功率放大器分析 最大不失真输出功率Pomax 1.输出功率Po 一个管子的管耗 2.管耗PT 两管管耗 3.电源供给的功率PE 当 4.效率? 最高效率?max * 内电场E ?因多子浓度差 ?形成内电场 ?多子的扩散 ?空间电荷区 ?阻止多子扩散，促使少子漂移。 PN结合 空间电荷区 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 PN结的形成 PN结的单向导电性 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F 正向电流 (2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R P N 在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 二极管按结构分三大类： (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 半导体二极管的V—A特性曲线 硅：0.5 V 锗： 0.1 V (1) 正向特性 导通压降 反向饱和电流 (2) 反向特性 死区 电压 击穿电压UBR 实验曲线 u E i V mA u E i V uA 锗 硅：0.7 V 锗：0.3V 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 (3) 反向电流IR—— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 三级管输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 放大区—— 曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有： 饱和区 放大区 截止区 极间反向电流 （2）集电极发射极间的穿透电流ICEO 基极开路时，集电极到发射极间的电流——穿透电流 。 其大小与温度有关。 （1）集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。 锗管：I CBO为微安数量级， 硅管：I CBO为纳安数量级。 + + ICBO e c b ICEO 放大电路的主要技术指标 1.放大倍数——表示放大器的放大能力 根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。 （1）电压放大倍数定义为: AU=uo/ui （2）电流放大倍数定义为: AI=io/ii