第15讲 半导体存储器_1.ppt

半导体存储器和可编程逻辑器件 半导体存储器的一般结构形式 7.2.1 掩模ROM 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 掩模ROM的特点： 7.2.2 可编程只读存储器 （ PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.5 用存储器设计组合逻辑电路 1、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量， 则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 用存储器实现组合逻辑函数 7.2.3 可擦除的可编程只读存储器 （EPROM） 1、用紫外线擦除的EPROM UVEPROM 2、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） E2PROM (Electronic Erasable PROM) 7.2.4 快闪存储器（Flash Memory） 快闪存储器（Flash Memory） * * 数 字 逻 辑 Digital Logic 青岛理工大学 广义双语教学课程 课程网站： 211.64.192.58 第7章 Memory and Programmable logic device Flash memory is a non-volatile computer storage technology that can be electrically erased and reprogrammed. Flash memory costs far less than byte-programmable EEPROM and therefore has become the dominant technology wherever a significant amount of non-volatile, solid state storage is needed. （1） 7.1 半导体存储器概述 1、从存/取功能分 ① 只读存储器 ( ROM，Read-Only-Memory ) ② 随机读/写存储器 ( RAM，Random-Access-Memory ) 2、从工艺分 ① 双极型 ( Bipolar Transistor ) ② MOS型 ( Metal-Oxide-Semiconductor ) 能存储大量二值信息的器件。 ★ 单元数庞大 ★ 输入/输出引脚数目有限 随机(读写)存储器Random Access Memory (RAM) 只读存储器Read Only Memory (ROM) PROM 可编程序只读存储器 掩膜ROM EPROM 可擦除的可编程序只读存储器 E2PROM 电可擦除的可编程序只读存储器 Flash Memory 快闪存储器（电可擦除） 双极型 MOS型 SRAM Static RAM DRAM SRAM Dynamic RAM 半导体存储器IC 半导体RAM在断电后数据会丢失，属于易失性(Volatile)存储器 只读存储器属于非易失性存储器。 存储器芯片内部： 地 Y0 A1 址 Y1 译 Y2 A0 码 Y3 器 存储单元00 存储单元01 存储单元10 存储单元11 A0 A1 地址线条数K，可寻址2K单元 半导体存储器芯片 Memory Chip A memory unit is a collection of storage cells together with associated circuits needed to transfer information in and out of storage. The memory stores binary information in groups of bits called words. 存储单元增加，地址线条数也迅速增加，地址译码器变复杂 Each word in memory is assigned an identification number, called an address, starting from 0 and continuing with 1,2,3, up to 2k-1 where k is the number of address lines. 行地址译码 列地址译码 A0 A1 A3 A2 读写控制 I/O Row Address Column Address 4×4 存储矩阵 11 10 01 00 11 10 01 00 三态输出 半导体RAM芯片内部 The selection of a speci