PWM变换器中输出变压器偏磁抑制.docVIP

PWM变换器中输出变压器偏磁的抑制白　平，张代润(四川大学电气信息学院，四川成都610065） 　　摘　要：分析了PWM开关型变换器中，变压器直流偏磁问题产生的原因。给出了一种解决直流偏磁较为实用的拓扑电路，并分析了它的工作原理。该电路的有效性在20kHz/2kW的全桥逆变电源中得到了验证。　　关键词：变换器；偏磁；脉宽调制 RestrainingMagneticBiasforOutputTransformerofPWMConverterBAIPing,ZHANG Dairun(InstituteofElectricalEngineering,SichuanUniversity,ChengduSichuan610065China) 　　Abstract:ByanalyzingthecausesofthemagneticbiasinthePWMconverter,anewapproachwasgivenanditsworkingprincipleisanalyzed.Theeffectivenessofthecircuitisprovedinthe20kHz/2kWfullbridgeinverter.　　Keywords:converter;magneticbias;PWM 0引言　　在PWM开关型变换器中，或多或少都存在着变压器直流偏磁问题，只是在不同的场合严重程度不同而已。偏磁的后果是十分严重的，轻则会使变压器和功率半导体模块的功耗增加，温升加剧，严重时还会损坏功率模块，使其不能正常工作。PWM控制的全桥逆变电源，经常会因各种不可预见的因素，使其两桥端输出电压脉冲列在基波周期内正负伏秒值不相等，从而导致输出变压器中存在直流分量，引起单向偏磁现象，严重威胁到系统的正常运行。为了防止或减少变压器中的直流分量，以逆变桥各桥臂中点电压作为反馈来抑制直流偏磁。本文采用了一种较为简单的电路拓扑来实现，经在20kHz/2kW的全桥逆变电源中应用，证明该电路有效、实用。1高频变压器偏磁机理　　根据电磁感应定律，为分析方便，不妨设绕组电阻、漏感、变压器分布电容等都为零。这样，加到变压器初级绕组的电压u1和绕组感应电势相平衡。因此有　　式中：B为铁心的磁感应强度；　　 S为铁心截面积；　　 N1为初级绕组匝数；　　 KT为铁心面积的有效系数；　　为变压器主磁通。　　由式（1）可得磁感应强度　　式中：Br为t=0时铁心中的磁感应强度。　　为分析方便将式（2）写为增量形式，并考虑到在PWM逆变器中，u1为幅值恒定的脉冲量，因而磁感应强度增量变为　　　　从而磁感应强度增量ΔB(t)成为时间的线性函数。对于全桥PWM型逆变电路，正常情况下，变压器正、反方向的方波“伏－秒”面积相等，铁心的磁感应强度与方波脉宽成正比，变化如图1(a)所示，且磁化曲线对原点对称。当变压器原边含有直流成分时，PWM型变换电路的正、反方向的方波“伏－秒”面积不再相等，磁通将向某一方向逐渐增加，磁化曲线不再对原点对称,最终导致变压器铁心磁感应强度饱和，变化如图1(b)所示。由于变压器的原边等效阻抗对直流分量只呈现电阻特性，且原边绕组内阻很小，因此，很小的直流分量就会在绕组中形成很大的直流激磁磁势，该直流磁势与交流磁势一起作用于变压器原边，造成变压器铁心的工作磁化曲线发生偏移，出现关于原点不对称，即所谓的变压器偏磁现象。当偏磁严重时，铁心将进入单向饱和，这时铁心磁导率将急剧下降，原边等效电感迅速减少，激磁电流迅速增大，导致变压器过热，最终导致器件毁坏。  　　 造成“伏－秒”面积不等的具体原因有：　　 1）功率半导体模块(IGBT)开关速度的差异；　　 2）功率半导体器件(IGBT)通态压降的差异；　　 3）各种信号传输延迟的不同；　　 4）电路设计不当，工艺欠妥。　　目前，在各种形式的全桥PWM变换器中，都存在着不同程度的偏磁问题，为此在很多文献中提到了各种解决方法。一般多采用在变压器原边串联电容，利用电容特有的隔直特性将原边中的直流分量滤除。这种方法虽然简单但有一定的局限性，因为，所有的原边电流都要流过隔直电容，使电容的工况相当严重，电容的可靠性及寿命将严重地制约变换器的可靠性。2一种抑制偏磁的简单电路拓扑及其工作原理　　如图2所示，在PWM全桥逆变电源输出端，采用通过霍尔电压传感器(HL)隔离的差动高阻积分电路，通过此电路可直接地实时检测桥端输出电压脉冲列uAB的直流分量，图2中积分环节输出电压um波形如图3中所示，为标准的三角波（暂不考虑死区）。其上升时间即为ugs1的脉宽（亦即S1及S2的开通时间），并且以固定的du/dt上升。其下降时间为ugs2的脉宽（即S3及S3的开通时间）。控制电路补偿过程