第四章 主存储器-02.ppt

3．存储校验线路 （4） 第三步，把512位等分为8块，每块为64位，把奇数次块合并在一起，计算“l”的个数，决定P(64)是“1”还是“0”，再把偶数次块合并在一 起，计算“1”的个数，决定Q(64)是“1，还是“0”。 依次类推，每次块数增加一倍，其块的位数减少一半，直到每块中只有1位为止。将奇数次块合并在一起，然后决定P(16)、P(8)、P(4)、 P(2)、P(1)分别是“1”还是“0”；把偶数次块合在一起，决定Q(16)、Q(8)、Q(4)、Q(2)、Q(1)分别是“1”，还是“0”。 最后，把上述P(i)、Q(i)排成一列得P(256)Q(256)P(128)Q(128)P(64)Q(64)…P(1)Q(1)总共18位就 构成ECC码，ECC码为3字节，多余位全为零。 第四章 主存储器作业 4.5、4.6、4.7。 * * * * 隧道效应：微观，克服势能，1957（隧道二极管）,1960,1962（预言电子传统绝缘层） FAMOS管与MOS管结构相似，它是在N型半导体基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出漏极D和源极S，在漏源之间的SiO2绝缘层中，包围了一多晶硅材料，与四周无直接电气连接，称之为浮置栅极，在对其编程时，在漏源之间加上编程电压（高于工作电压）时，会产生雪崩击穿现象，获得能量的电子会穿过SiO2注入到多晶硅中，编程结束后，在漏源之间相对感应出的正电荷导电沟道将会保持下来，如果将漏源之间感应出正电荷导电沟道的MOS管表示存入0，反之，浮置栅不带负电，即漏源之间无正电荷导电沟道的MOS管表示存入1状态 * * * * 根据位线上高电压还是低电压，读出是0还是1；加载电压很小，不影响内部电场和电子运动 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第四章 主存储器 4.6 非易失性半导体存储器（1） 前面介绍的DRAM和SRAM均为可任意读／写的随机存储器，当掉电时，所存储的内容消失，所以是易失性存储器。 下面介绍的半导体存储器，即使停电，所存储的内容也不丢失。根据半导体制造工艺的不同，可分为ROM，PROM，EPROM，E2ROM和Flash Memory 4.6 非易失性半导体存储器（3） 1. 只读存储器（ROM） 掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读而不能再写入。其基本存储原理是以元件的“有／无”来表示该存储单元的信息（“1”或“0”），可以用二极管或晶体管作为元件，显而易见，其存储内容是不会改变的。 2. 可编程序的只读存储器（PROM） PROM可由用户根据自己的需要来确定ROM中的内容，常见的熔丝式PROM是以熔丝的通和断开来表示所存的信息为“1”或“0”。刚出厂的产品，其熔丝是全部接通的。根据需要断开某些单元的熔丝（写入）。显而易见，断开后的熔丝是不能再接通了，因而一次性写入的存储器。掉电后不会影响其所存储的内容。 4.6 非易失性半导体存储器（4） 3．可擦可编程序的只读存储器（EPROM） 为了能修改ROM中的内容，出现了EPROM。其原理： 控制栅 浮置栅 P型基片 源n+ 漏n+ VPP(+12V) 5～7V 4.6 非易失性半导体存储器（5） 3．可擦可编程序的只读存储器（EPROM） 存储1，0的原理： 源 漏 5V 源 漏 5V 晶体管导通 浮栅电子阻止晶体管导通 保存1 保存0 4.6 非易失性半导体存储器（6） 4.可电擦可编程序只读存储器（E2PROM） E2PROM的编程序原理与EPROM相同，但擦除原理完全不同，重复改写的次数有限制（因氧化层被磨损），一般为10万次。 其读写操作可按每个位或每个字节进行，类似 SRAM，但每字节的写入周期要几毫秒，比SRAM长得多。E2PROM每个存储单元采则2个晶体管。其栅极氧化层比EPROM薄，因此具有电擦除功能。 4.6 非易失性半导体存储器（7） 5. 快除读写存储器（Flash Memory） F1ash Memory是在EPROM与E2PROM基础上发展起来的，其原理： 控制栅 浮置栅 P型基片 源n+ 漏n+ ＋VPP 4.6 非易失性半导体存储器（8） F1ash Memory的读写原理： … Vd=6V Vg=12V 写入 … Open Vs=12V 擦除 … Vd=1V Vg=1V 读出 4.6 非易失性半导体存储器（9） 各存储器的用途 存储器 应用 SRAM DRAM ROM PROM EPROM E2PROM Flash Memory