西北工业大学 CMOS实验一报告.docx

模拟CMOS集成电路实验实验一一、PPT示例a.示例MOS管IV 漏电流特性曲线1. Hspice仿真SP文件***********************source **********************VDSN DN SN 0VGSN GN SN 0VSN SN 0 0VBN BN 0 0VSDP SP DP 0VSGP SP GP 0VSP SP 0 3.3VBP BP 0 3.3**********************analysis*********************.DC VDSN 0 3.3 0.05 sweep VGSN 0 3 0.5.DC VSDP 3.3 0 0.05 sweep VSGP 3 0 0.52.仿真图1-1.电流、跨导特性曲线图b.NMOS的栅源电压为1.2V，PMOS源栅电压等于1.2V,漏电流特性曲线1. Hspice仿真SP文件***********************source**********************VDSN DN SN 0VGSN GN SN 1.2VSN SN 0 0VBN BN 0 0VSDP SP DP 0VSGP SP GP 1.2VSP SP 0 3.3VBP BP 0 3.3**********************analysis*********************.DC VDSN 0 3.3 0.05 .DC VSDP 3.3 0 0.052.仿真图3.手工分析NMOS的栅源电压为1.2V，工作在饱和区PMOS的源栅电压为1.2V,源漏电压为1Vc.沟道长度设置为1u, 漏电流特性曲线二、课本习题2.5a.1.Hspice仿真SP文件**************source*****************VDN DN 0 3VGN GN 0 3VSN SN 0 0VBN BN 0 0**************analysis******************.DC VSN 0 1.5 0.052.仿真图2.1.1 跨导、漏电流特性曲线仿真图3.手工计算与分析时，时，M1管工作在线性区；时，M1管工作在饱和区4.分析草图草图2.1b．1.Hspice仿真SP文件*****************source*****************VDN DN 0 0VGN GN 0 1.9VSN SN 0 1VBN BN 0 0******************analysis******************.DC VDN 0 3 0.052.仿真图2.2.1 跨导、漏电流特性曲线仿真图3.手工计算与分析当时，时，M1管工作在线性区当时，M1管工作在饱和区4.分析草图IXV草图2.2gmVc.1. Hspice仿真SP文件*****************source*****************VDN DN 0 0VGN GN 0 1VSN SN 0 1.9VBN BN 0 0******************analysis******************.DC VDN 0 3 0.052.仿真图2.3.1 跨导、漏电流特性曲线仿真图3.手工计算与分析较小时，；时，M1将处于截止状态4.分析草图vIx草图2.3d.1. Hspice仿真SP文件*****************source*****************VSP SP 00VGP GP 0 1VDP DP 0 1.9VBP BP 0 3******************analysis******************.DC VSP 0 3 0.052.仿真图2.4.1 跨导、漏电流特性曲线仿真图3.手工计算与分析时，时，M1管工作在饱和区时，M1管进入线性区时，M1管工作在线性区4.分析草图草图2.4e.1. Hspice仿真SP文件*****************source*****************VDN DN 0 1.5VGN GN 0 1.9VSN SN 0 1VBN BN 0 0******************analysis******************.DC VBN 0 3 0.052.仿真图2.5.1跨导、漏电流特性曲线仿真图3.手工计算与分析时，M1管工作在饱和区；时，M1管工作在线性区；4.分析草图草图2.5