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HSiCMESFET大信号非线性特性分析-西安电子科技大学
25 2 Vol. 25 No. 2
2009 4 JOURNAL OF M ICROWAVES Apr. 2009
: 2009) 02007 05
*
4HSiCMESFET
1 2 1 1 1 1
吕红亮 车 勇 张义门 张玉明 郭 辉 张 林
( 1. , , 710071;
2. , 7100 6)
: Volterra 4HS iCM ESFET,
, ,
1GH z 1. 01GH z, 0. m 1. 6m, () 33. 55dBm ( 36. 26dBm )
1 . 1dBm ( 13. 4dBm ), 1dB 24dBm 7. 43dBm
: , , , Volterra
The NonlinearAnalysis for 4HSiCMESFETs
1 2 1 1 1 1
LUHongliang , CHE Yong , ZHANG Y im en, ZHANG Yum ing , GUO Hui, ZHANG L in
( 1. M icroelectronics Institute, K ey Laboratory of W ideBandGap Sem iconductor Materials and Devices
of theM inistry of ducation, X id ian University, X i an, 710071, Ch ina;
2. ng ineering College of Armed PoliceForce, X i an, 7100 6, China)
A stract: Based on the equivalen t circuit of S iC MESFETs, the large signal nonlinear characteristics is investigated
using Volterra series. The m odel including trapp ing effect reflects the m easured non linear characteristics of S iC MESFET s
very well. For a 0. , 1. 2 and 1. 6m gate length FET operating at 1GH z, ou tput referred th irdorder intercept point ( O IP3)
are 36. 3 dBm, 24. 6 and 14. 3 dBm respectively. The shorter gate length devices show mi provem ent in linearity. The smi ula
tion ind icates that the d ispersion frequency increasesw ith elevated temperature. The proposedm odel is valuab le for the analy
sis of frequency dispersion in the device.
Key w ords: S ilicon carb ide, MESFET, Nonlineariy, Volterra series
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