化合物半导体异质结构形变物理.PDF

行 異理 精 類 行 年年 行 參理羅 理 理 利 年 年 ■ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 化合物半導體異質結構形變物理 計畫類別：■ 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC 96 －2221 －E －182－020 執行期間：96 年 08月 01日至 97 年 07月 31日 計畫主持人： 倪澤恩 共同主持人： 計畫參與人員： 房家暉、羅弘綸 成果報告類型依經費核定清單規定繳交( ) ：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 ■涉及專利或其他智慧財產權，■一年□二年後可公開查詢 執行單位：長庚大學 電子工程學系 中 華 民 國 97 年 10 月 31 日 1 中文摘要 關鍵詞：應變、高壓物理、形變物理、異質結構 低維度半導體結構中耦合形成的元激發，在基礎科學研究上觀察到動量的方向性以及 能量分立、連續與共振相關的現象；在工程應用上也已發展出高溫、高頻、光電元件。在 我們的研究之中，假設在次能級的粒子呈古典的波茲曼分佈(Classical Boltzmann Distribution) ，我們可以從分析發射截面得到吸收截面，還可以分析系統的吸收與發射截面 之溫度函數，解析量子井對載子在熱動能的變化下，伴隨著其捕捉電子與電洞的能力變化， 以及載子又再克服位能障在量子井以外的區域做復合釋放能量產生光子。並藉由量子低維 度微結構應變誘導能帶結構，進一步算出局部狀態密度 (local density ofstates, LDOS) ，即得 出螢光近邊緣結構光譜，將有助於分析闡釋量子微結構系統中光子、電子、電洞、聲子之 間的熱平衡關係。由於螢光近邊緣結構能譜與材料能帶之間的關係密不可分，而能帶結構 的變化，主宰著材料的所有物理性質，因此使得近邊緣結 構的解析相當重要。此外透過建 立速率方程式模型(rate equation model)討論整個載子復合過程中，其低維度應變誘導微奈米 結構對於發光過程所扮演的角色，並研究其量子效率、吸 收截面與發射截面隨溫度變化的 關係與其激子復合發光機制。此外並近一步定量的萃取出吸收截面與發射截面與建立適當 的時間參數。 1 英文摘要 Keyword: Strain, Stress, High pressure physics, Deformation physics, heterostructures Coupling of the elementary e