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网络出版时间:2017-09-15 15:08:28
网络出版地址:/kcms/detail/35.1070.N1508.018.html
doi:10.6043/j.issn.0438-0479.201706023
反应烧结法制备BN/Si N 复相陶瓷的
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结构和性能
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李永伟 ,唐学原
(1.厦门大学 材料学院,福建省特种先进材料重点实验室,2.厦门大学高性能陶瓷纤维教育部重点
实验室,福建 厦门361005 )
摘要:采用在硅(Si)粉中添加硼(B )粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅 (BN/Si N )复相陶
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瓷,分别采用 X 射线衍射(XRD )、红外光谱 (FT-IR )、扫描电子显微镜(SEM)对其相组成和断
面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能。结果表明:成型压力的增加会导致样品氮化率下
降;随着氮化温度的升高,样品氮化率增大;随着B 添加量的增加,样品的氮化率先升高后降低。
采用12 MPa 成型且B 添加量为10 % (质量分数)经1450℃氮化处理制得的陶瓷以-Si N 相为主,
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孔隙率为 40.12% ,在 2~ 18GHz 的频率下,其介电常数为 3.27~3.58 ,介电损耗正切值为
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1.10×10 ~ 1.12×10 ,B 的加入有效地改善了Si N 陶瓷的介电性能,有望应用于透波材料领域。
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关键词:反应烧结;BN/Si N 复相陶瓷;氮化率;介电性能
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中图分类号:TB32 1 文献标志码:A
天线罩是高速飞行弹头上一种集防热、透波、耐腐蚀等多功能于一体化的部件,要求材料具有
低密度、耐高温、耐腐蚀、低介电常数和介电损耗等特性。氮化硅(Si N )陶瓷是一种综合性能优
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