存储器扩展电路的设计与制作.ppt

任务5.1 存储器扩展电路的设计与制作 2. 典型随机存储器芯片6116(2KB) A10~A0：地址线 D7~D0：数据线 ：片选信号 ：数据输出允许信号 ：写选通信号 任务5.1 存储器扩展电路的设计与制作 6116工作方式 任务5.1 存储器扩展电路的设计与制作 3. 线选法RAM扩展举例 任务5.1 存储器扩展电路的设计与制作 可寻址256B 外部数据存储器 可寻址64KB 外部数据存储器 访问外部RAM用专门指令MOVX，共4条 指令符号 说 明 MOVX A，＠Ri MOVX ＠Ri ，A MOVX A，＠DPTR MOVX ＠DPTR ，A 单片机扩展2732 EPROM电路 编码结果 扩展一片27128A。单片机扩展16 KB外部程序存储器一般选用27128A EPROM芯片，硬件电路如图所示。 单片机扩展27128 EPROM电路 用译码法扩展一片2764。 单片机扩展2764 EPROM电路 技能能力 工作任务描述 1)根据给出的参考图，在Proteus中画出电路图，并编写程序进行外部数据的读取及写入，利用读取的外部数据存储器中的数据控制8个发光二极管循环点亮。 2)利用Proteus的仿真功能对其进行仿真测试，观察LED的状态和外部数据存储器窗口。 数据存储器扩展图 4)程序范例： 功能：对片外RAM写入数据并输出，控制P1口的亮灭状态。 声明写在程序的前面。 ORG 0000H LJMP MAIN ORG 30H MAIN: MOV R0,#0 DJNZ R0,$ ;延迟一会儿，等待电源电压稳定、外设正常工作。 MOV SP,#50H ;设置堆栈指针初值 MOV DPTR,#1000H ;指向片外RAM的首地址 MOV A,#0FEH ;设置第一个要送入的数据 MOV R1,#08H ;设循环次数 WRITE: MOVX @DPTR,A ;向RAM中写入数据 INC DPTR ;片外RAM地址加1 CLR CY RL A ;更新数据 DJNZ R1,WRITE ;8次未送完，继续写入，否则顺序执行下一条指令 START: MOV R1,#08H ;再次设置循环次数 MOV DPTR,#1000H ;指向第一个数据单元1000H READ: MOVX A,@DPTR ;读出数据到A累加器 MOV P1,A ;送P1口点亮发光二极管 LCALL DELAY ;延时一段时间 INC DPTR ;更新地址 DJNZ R1,READ ;连续读出8个数据，送P1口显示 SJMP START ;8个数据读完，继续从第一个数据单元开始。 DELAY: ;延迟子程序 MOV R6,#00H L1: MOV R7,#00H L2: NOP DJNZ R7,L2 DJNZ R6,L1 RET END 操作步骤 1.软件仿真实验 1)查阅原理图及芯片手册，初步认识51系列单片机扩展片外RAM所使用的芯片6264的管脚排列，以及与单片机的连接关系。 2)在Proteus中画出电路图，画出程序流程图并编写程序进行外部数据的读取及写入，利用读取的外部数据存储器中的数据控制8个发光二极管循环点亮(可参考程序范例)。 3)在Proteus编辑窗口中输入程序，编译、链接并生成相应的HEX格式的机器代码文件，利用Proteus的仿真功能对其进行仿真测试，观察LED的状态和外部数据存储器窗口。 模块5 系统扩展与接口技术的应用 任务5.1 存储器扩展电路的设计与制作 知识能力：熟悉常见的存储器类型及性能，掌握程序存储器与CPU连接的方法 。 技能能力：掌握外部存储器的读写控制方法,了解Proteus仿真环境中对外部存储器的仿真方法 。 社会能力：训练学生工程意识和良好的劳动纪律观念，培养学生认真做事、用心做事的态度 。 知识能力 前导知识 为什么要进行单片机的存储器扩展？ 课题引入 子系列 机 型 片内ROM 片内RAM 可寻址ROM范围 可寻址RAM范围 51 子系列