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释放氚气的实验现象,如图4所示,图中载气分别为 1%H2/He和纯He。图中峰值温度出现在 560℃和
720℃附近,表明晶粒表面上的氚可以通过 O—T键的断裂后形成的T离子的再结合反应释放氚气。晶
粒表面氚水和氚气解吸反应存在竞争关系:当样品表面较为干燥时,二种释氚形态均存在(见图2);吸
水后,氚气释放比例降低甚至减为 0(见图3)。Li4SiO4是吸水能力较强的锂陶瓷增殖剂,存在多个吸附
H20/_0H的位点,根据样品预处理条件 以及存放条件 的不同,表面既有物理吸附水,也有化学吸附水。
研究表 明Li4SiO4存在多个氚水解吸峰。在 5oC/min的升温速率下,氚水解吸峰出现在 410℃以下 。,
一JlⅢ.b∞)/
2 1 1
低于氚气解吸峰;随着表面吸水量增加,低温下氚水释放比例增加(见图3)。物理吸附水通过H20同位
素交换反应影响释氚温度,化学吸附水通过一0H/_一0T再结合/解吸反应影响释氚行为 ’。
图 2 “干燥”Li4SiO4堆外释氚实验
300
200
100
0
图 3 “吸湿”Li4SiO4堆外释氚实验
当载气中添加H 后,主要通过固气界面的氢同位素交换反应 以及在Li4SiO 表面生成水的反应来影
响氚的释放形态和温度。通过前者可降低氚气释放温度(见图4),通过后者可在 670℃(5~C/min升温速
率)释放氚水,如图5所示,图中载气分别为 1%H2/He和纯He 。但样 品表面吸附水分后,会大大降低
H2的作用 。对这一 问题的系统研究未见文献报道。
口
563℃
12 HT/离子再结合/解吸 ●soos(载气:1.1%H2/He)
\ 譬 0 S007(载气:He1
800
,流速:50mL/min
/ 升温速率:5~C/min
,
l403℃
8oot.:同位素交换峰A() , 722℃ 600
吕
— H/T离子再结合 /解吸
∞
400
200
,
0
0 4000 8000 12000 16000
t/s
图 4 “干燥”Li4SiO4堆外氚气释放 曲线对 比
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