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硅片平整度知识讨论 IQC 2006-4-20 硅片平整度知识讨论 主要内容如下： 1、硅片平整度定义； 2、硅片平整度测量； 3、硅片平整度规范 4、硅片使用中异常举例 平整度SEMI 标准 关键字注释 习惯用语 SEMI 标准用语 新SEMI 标准 关键字注释 TTV GBIR Global flatness back ideal range TIR GFLR Global flatness front least-squares range STIR SFQR Site flatness front least-squares range LTV SBIR Site flatness back ideal range FPD GFLD GF3D Global flatness front least-squares deviation Global flatness front 3 point deviation TTV(Total Thickness Variation) 定义：TTV = a – b ( SEMI标准中为GBIR ) 说明： 1.参考平面 B为Wafer背面 TIR(Total Indicator Reading ) 定义：TIR = |a| + |b| ( SEMI标准中为GFLR ) 说明： 1.参考平面(bf) G为距上表面所有点截距之和最小的平面； FPD(Focal Plane Deviation) 定义：FPD =± Max ( |a| , |b| ) ( SEMI标准中为GFLD ) 说明： 1. 如果|a| |b| ，则FPD取正值；反之取负值； 2.参考平面G (bf)为距Wafer上表面所有点截距之和最小的平面； Warp 定义：Warp=| a | + | b | 说明： 1.参考平面M为距曲面Median plane所有点截距之和最小的平面； 2.不考虑重力影响； Bow 定义：Bow=1/2 * ( b -f ) 说明： 1.参考平面 W 以Wafer上三点确定，此三点组成一等边三角形 2.凸的Wafer Bow值为正，凹的Wafer Bow值为负； 3mm 120° 120° LTV(Local Thickness Variation) 定义：LTVi = ai – bi i=1,2,3,4,...,n( SEMI标准中为SBIR ) 说明： 1.参考平面B为Wafer背面； 2.LTV max= Max( LTV1, LTV2,...,LTVn) STIR(Site Total Indicator Reading) 定义：STIRi = | ai |+ | bi | i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFLR ) 说明： 1.参考平面G i通过每一单元块的中心且平行于wafer上表面的拟合平面bf G； 2.G为距单元块上每一点截距最小的平面； 3.STIR max= Max( STIR1, STIR2,..., STIR n)； STIR/L- Site(Site Total Indicator Reading) 定义：STIRi /L= | ai |+ | bi | i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFQR ) 说明： 1.参考平面bf G i为距单元块上每一点截距最小的平面； 2. STIRi /L max= Max(STIR1 /L , STIR2 /L ,..., STIRn /L )； SFPD/L-Site 定义：SFPD i /L= ± Max( | ai |, | bi | ) i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFQD ) 说明： 1.| a | | b | ,取正值； | a | | b | ,取负值； 2.参考平面bf L i为距单元块上每一点截距最小的平面； 3. SFPD /L max= Max(SFPD 1 /L, SFPD 2 /L,..., SFPD n /L) SFPD/G-Site 定义：SFPD i/G = ± Max( | ai |, | bi | ) i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFLD ) 说明： 1.| a | | b | ,取正值； | a | | b | ,取负值； 2.参考平面G i通过每一单元块的中心且平行于wafer上表面的拟合平面bf G； 3. SFPD /G max= Max(SFPD 1/G , SFPD 2/G ,..., SFPD n/G ) SEMI Standard FQA MeasurementMethod Reference