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显示技术进展_Lecture__ITO与触控面板
显示技术进展 Progress in Display Technology 触控式面板 liulin@ * * * * * * * * * * * ITO薄膜优良导电特性主要来自于锡的掺杂( Tin-doping )及氧的空位( oxygen vacancy)两种带电载子( charge carrier)存在而大幅提升其导电度。ITO薄膜中,铟锡氧化物因锡的掺杂,而使得其晶格中部份位置铟原子被取代。由于锡价电子比铟多1,当每个锡取代铟,便可多放出一个电子,因此锡以n-typedonor的方式来提高铟锡氧化物导电性。氧的空位在ITO薄膜中,因晶格氧的位置没有填补,而使得该键结两个电子释出形成自由电子,因此氧的空位亦以n-typedonor的方式来提高铟锡氧化物导电性。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 ITO薄膜导电度,在少量锡掺杂时,导电度因电荷carrier浓度增加而增加;但在锡掺杂量加大时,因铟氧化物(In2O3)晶格构造扭曲变大,使得电荷carrier迁移率(mobility)变小而降低导电度。另外,随着氧的空位浓度降低(即带电载子数量减少),ITO薄膜导电度亦随下降。而氧空位浓度与制程中的许多操作变量,如加热温度有关、加热时间、加热气氛等息息相关。由此可见ITO薄膜特性,会随着锡掺杂量多寡及制造程序条件不同而变。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 ITO薄膜制造法,目前有真空蒸镀法(vacuum evaporation)、溅镀法(sputtering)、化学蒸镀法(chemical vapor deposition)及使用溶胶-凝胶程序浸渍涂布法(dipcoating)等;虽然目前工业界制造ITO薄膜以溅镀法为主,但溶胶-凝胶程序所制造出来的ITO薄膜导电度及透明度最佳。另外与溅镀法、化学蒸镀法等方法比较,溶胶-凝胶程序是ITO制造方法中最不需昂贵真空设备﹑操作原理最简单也最可适用涂布大面积或复杂形状基材薄膜制备法。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 触控式面板(Touch Panel)技术分析 触控式面板的应用可说是越来越广泛,从早期军方或是一些特殊的应用, 到目前许多地方都采用了触控式面板, 然而,触控式面板有4、5种以上的技术和许多的厂商投入其中,假如有些顾客想采用触控式面板,势必会被五花八门的信息搞的眼花撩乱,不知所措。 图:电阻式触控式面板 附录: 参考数据:.tw/ShowNews.aspx?zCatId=116zNotesDocId=4625A30F4C06FB024825719C005AE3D6 电阻式 电阻式触控屏幕可以说是目前使用量最多的一个技术,电阻式的驱动原理是用电压降的方式来找坐标轴,由上页图可以看出,X轴和Y轴各由一对0~5V的电压来驱动,当电阻式触控屏幕被Touch到的时候,由于回路被导通,而会产生电压降,而控制器则会算出电压降所占的比例然后更进一步算出坐标轴。 从电阻式的结构面来讲 ,通常电阻式上层是以ITO Coating的PET来当材料,下层则是以ITO Coating的PET或是玻璃来当材料,平常没使用的时候上下两层是以绝缘體SpacerDot来撑开, 要不然就会产生ConstantTouch(光标固定每一点)的问题。 一般电阻式架构式Film on Glass(FG),也就是说上层是ITO Coating的PET,下层则是以ITOCoating的一般玻璃,缺点是一般玻璃假如在使用中不慎弄破,玻璃碎片会割伤使用者。 附录: 参考数据:.tw/ShowNews.aspx?zCatId=116zNotesDocId=4625A30F4C06FB024825719C005AE3D6 电容式 电容式触控面板,跟电阻式比较,则是一个截然不同的技术,电容式的架构比较简单,基本上是以ITO玻璃为主体,在ITO玻璃的四角放电,在表面形成一个均匀的电场,当可以导电的物体,例如像是人的手指,吸走一点微量的电流,后面的控制器则会算出电流被吸走的比例而算出X轴和Y轴。 附录: 参考数据:.tw/ShowNews.aspx?zCatId=116zNotesDocId=4625A30F4C06FB024825719C005AE3D6 电阻式和电容式的比较表 附录: 参考数据:.tw/ShowNews.aspx?zCatId=116zNotesDocId=4625A30F4C06FB024825719C005AE3D6 透光度 触控式面板是依附在LCD外面的,所以其透光率以及其抗眩抗反射的特性也相对重要。电容式触控面板要做到高透光及抗眩光并不容易。一般只有85%的透光率。而且抗眩的效果也不佳。 反
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