半导体薄膜地制备实验地特殊性及教学尝试.ppt

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半导体薄膜地制备实验地特殊性及教学尝试

四级物理实验的宗旨 按实验内容的基础普遍性、难易程度与学生知识水平相适应分为四级实验 一级实验:基本操作与测量,普及型 二、三级实验:逐步增加综合性与设计性实验的比例及难度,由教师安排,过渡到学生自己设计实验,自己准备仪器完成实验。培养综合思维和创造能力。 四级实验以科研实践为主题,以科学研究的方式进行实验教学,培养学生独立科研的能力。 达到以上要求的难点 (对三、四级实验而言) (1)三、四级实验的对象是理科和物理类学生,有几百人参加。设备和师资有限,可能带来如下问题: 设备总量将严重不足 实验周期大大拉长,指导教师工作量大大增加 (2)由于增加了具有时代性和先进性的现代实验,引入了一些大型或高精尖设备,不可能让每人得到充分的操作训练,可能带来如下问题: 实验设备少,操作受限;操作规程过于规范,束缚思维 实验先进,大大超前理论:知其然不知其所以然 实验标题及方法固定,实际上就难以切入真正的科研 解决方法: (1)实验闲隙中(如抽真空等待时),以计算机 演示的方式,向同学讲解: 固体物理和半导体物理预备知识 实验原理和操作规程 (2)每次实验必须打开真空室,结合实物讲解 (3)请同学自己总结问题和提出问题 (4)利用学期近结束时的开放时间安排科研实践 活动 下是计算机部分演示 一、ZnO透明导电薄膜和金属电极的制备 (1)预备知识:半导体结构及导电性(为没有学过“固体物理”的学生准备,另有演示,此处从略) 半导体的晶体结构, 晶格、晶向、晶面和它们的标志, 半导体的几种常见结构(金刚石型结构,闪锌矿、纤锌矿结构,氯化钠结构) 半导体中的电子状态和能带: 原子的能级和晶体的能带(导带,禁带和价带) 半导体中的杂质和缺陷能级,间隙位与替位位,施主与受主,补偿,n型与p型半导体,缺陷与位错,半导体中的掺杂ZnO薄膜的制备 透明导电ZnO薄膜及 金属电极的制备演示 中国科学技术大学物理系 薄膜制备及性能测试实验室 磁控射频溅射工作原理 洛仑兹力:F = q( E + v?B ) 实验准备工作一 :化学清洗 实验准备工作二 :靶材制备 场景对话:实验过程的一般描述及问答 (多数未列入实验指导书和计算机演示中) 描述一:打开装置说明各部分的用途 问物理原理,请自己总结问题 描述二:调节仪器说明其作用 请纪录和自己总结问题 描述三:提示学生观察实验现象 请纪录和自己总结问题 以上三部分的描述必须体现在实验报告中。 描述一: A、金属电极的制备: 1、 为何要用两级真空系统? 2、两级真空系统的测量、热偶规与电离规的工作原理? 3、 扩散泵及旋片机械泵的工作原理?通冷却水的作用 4、镀膜时为何要对衬底加热? 5、热蒸发原理及其要注意的事项(蒸发器与衬底之间 为何加挡板?金属样品及加热丝的清洗 ) 6、衬底基片(硅片、玻璃片及其它)的清洗 B、ZnO薄膜的制备 1、为何要用分子泵—机械泵两级真空系统? 2、分子泵的工作 原理?它与扩散泵的差别? 3、磁控溅射原理及问题 (1)直流磁控与射频磁控溅射的差别 (2)磁控溅射中磁场与电场的共同作用下带电粒 子的运动方式 描述二 : A、金属电极的制备: 注意真空蒸发调节中的细节 1、真空泵及测量 装置的开启流程: 检查系统的漏气情况,尤其检查钟罩密封圈有 无纤维等异物,密封圈有无纵向划痕? 检查电路及供水系统是否完好? 注意扩散泵的开机时机,并相应调节各真空阀 真空计测量时间的选择 2、加热钨丝蒸发源时的注意事项 开启蒸发源前为何要关闭真空计? 蒸发电流为何要慢慢增加?

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