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电 总 复 习 数电总复习 一、基本要求 1 半导体器件基础 （模电第1 章） （1 ）二极管 稳压管伏安特性、原 理及主要参数 VD ：单向导电性；VDZ ：工作在反 向击穿区，用 VDz 组成的简单的硅稳压 管稳压电路，工作时必须串联合适的限流 电阻R ；VD 主要参数：I ，I ，U ；VD F R R Z 主要参数：U ，I 和 I ，工作时 Z Zmin Zmax I I I 。双向稳压管：原理与VD zmin Z Zmax Z 同，但它有正反向稳定电压±U 。 Z （2 ）理想二极管：正偏导通压降为 0 ，反偏截止电阻为∞。 二极管应用：整流 检波 稳压、限 幅保护。 （3 ）双极型晶体管（BJT ）单极型 晶体管（FET ）外特性 原理及主要参数 BJT：电流控制电流器件；它有输入 输出特性曲线；它的主要参数为 ，α； 1 电 总 复 习 ICEO；ICM PCM 和U(BR)CEO （后三个为极 限参数）。 FET：电压控制电流器件；它有转移 输出特性曲线；其主要参数有gm ，RGS(DC) ， IDSS ，UGS(th) （增 型MOS 管）或UGS(off) （耗尽型FET ）。 另外：电子技术工程中常将晶体管 （包括BJT 和FET ）和集成运放称为有 源器件。 2 数制和码制 （1 ）熟练掌握二 十六进制数及其与十 进制数之间的互换； （2 ）常用的BCD 码：8421 码 余3 码 5421 码及格雷码；8421 码 余 3 码 5421 码与十进制数之间的转换。 3 逻辑代数 （1 ）熟练掌握逻辑代数的基本定律及定 理，会用公式法化简或变换逻辑函数； （2 ）逻辑问题的描述方法有四：逻辑函 数表达式 真值表 卡诺图和逻辑电路图； （3 ）2 3 及 4 变量逻函的最小项及其 性质； 2 电 总 复 习 （4 ）会用卡诺图法化简2 3 及4 变量 的逻函 （包括含无关项逻函的化简）。 4 逻辑门电路 （1 ）熟练掌握TTL 与非门 或非门 与 或非门 OC 门 异或门 同或门和三态门 的逻辑功能及其应用； 应知：TTL 门输入端悬空相当于接高电 平；TTL 与非门阈值电压为 1.4V；TTL 与 非门的高电平为3.6V, 低电平为0.3V；TTL 与非门的开门电阻和关门电阻的大小。 （2 ）正确理解 CMOS 门电路的逻辑功 能和应用（包括 CMOS 反相器 CMOS 或 非门 CMOS 与非门和TG 门）。 应知：各种C