主讲∶叶文浩.ppt

  目录 1、灯用三极管损坏机理研究及深爱灯用三极管的发展过程 2、Hfe、“瞬态冷爆”及深爱抗过饱和电路 3、ts、μe及其他 4、荧光灯电子镇流基本工作原理的初步细探 一、损坏机理研究及深爱灯用三极管产品发展过程 BUL6800灯用系列 及改进型的灯用MJE13000系列 110V出口灯用L系列 抗过驱动带D系列 (110VDL) 一、灯用三极管损坏机理研究及产品发展过程 当时遇到的主要矛盾 深爱十多年来一直与灯打交道 当时行业内有一种潮流，认为灯用三极管的耐压Bvceo要高：450V甚至500V （BUT11） ；成本要低（可以理解）。按这个思路设计三极管，使用中发热严重。 后来一直很受欢迎的13003BR，当时无法推广，反而要我们打算淘汰的老产品，说电压不够。 什么样的产品真正又好用，价格又便宜？ 什么样的产品真正又好用，价格又便宜？ 电压指标够用就行，电流特性是用户最有使用价值的指标。 目前节能灯、电子镇流器普遍采用的线路 上、下管轮流导通工作 电感负载产生的自感电势反峰电压是加在导通管上泄放的。（在原理中进一步分析） 目前节能灯、电子镇流器普遍采用的线路 用世界上最好的示波器去测量三极管CE二端的波形，也找不到400V以上的电压。 实际使用的是Bvcer Bvcer一般要大于Bvceo（用触发管DB3） BVceo=400V已被广泛接受，380-400V的很好用 BVcbo=500V的13001也被广泛接受 最终损坏是功率击穿 最终损坏是功率击穿，即加在三极管上的电压、电流超过了三极管的功率容限，即安全工作区(SOA) （25℃） 最终损坏是功率击穿 三极管的功率容限是随着温度上升而下降的，必须控制三极管的发热(即自身功耗) 在开关工作状态下，晶体三极管上消耗的功率由以下三部分组成： WOFF=VCE×I漏 WON=VCES×IC W过渡=ΣVt×It×△t/t(∫0t Vt It dt/t） 三极管的开关损耗波形图 右图为三极管的开关损耗波形图 直观地显示了以上三部分功率损耗数量的关系 很小、基本固定、变化范围比较大 节能灯、电子镇流器专用三极管BUL6800系列 深爱半导体有限公司推出节能灯、电子镇流器专用三极管BUL6800系列，具有优良的开关特性，在保证电压指标够用的同时，对用户最有使用价值的电流特性，给于了充分的保证（tf、大电流hfe） BUL6800灯用三极管系列产品 BUL中的“L”是“LAMP”-灯的第一个字母。具有优良的开关特性，大幅度提高了产品性能。（结束烧管历史消灭tf大的00-01杭州1.42-1.63） BUL6800灯用三极管系列产品 大芯片小封装，降低成本、缩小体积，原则上对使用无明显影响 广泛用于25W以下节能灯 BUL6800大电流特性小封装产品系列（同一思路） 深爱半导体于国内率先推出大电流特性小封装产品系列，目前，TO-92封装的灯用三极管已经大量用于国产节能灯，为国产节能灯进一步提高竞争能力作出了贡献。 110V出口灯用L系列 同功率的灯，不采用倍压整流时，三极管的电流规格须加倍；采用倍压整流，用两个电解电容，电解电容的可靠性低、体积大，越来越多的110V出口灯产品不再采用倍压整流。深爱半导体于国内率先推出的110V出口灯用L系列，用220V灯同样的三极管成本，提供加倍的电流。 110V出口灯用L系列技术要点 1、三极管芯片面积一定时，其电压电流参数是矛盾的，降低电压参数，就可以提高电流性能。 2、还需要灯电路及灯管参数的配合，包括灯丝电阻。 110V出口灯用L系列： 目前，深爱半导体有限公司已经推出全系列的110V出口灯用L系列产品，所有220V产品都有L型产品 二、Hfe、 “瞬态冷爆”和SI抗饱和电路 “理论上，hFE应尽可能高，以便用最小的基极电流得到最大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。但是，其它方面的折衷考虑，例如开关速度和电流容限，则限制hFE的最大值（荧光灯电子控制 AN1049 JNAPPE T SPANGLEX MOTOROLA 美国）。 Hfe、 “瞬态冷爆”和SI抗饱和电路 国内厂家早期曾经倾向于选用hFE较小的，一度hFE=10-15，甚至hFE=8-10的三极管很受欢，因为hFE大的三极管一般其下降时间tf也长，三极管容易发热，采用较小的hFE其目的是为了降低晶体管的发热，降低晶体管的饱和深度。实际上，晶体管的饱和深度受Ib、hFE两个因素的制约 三极管“瞬态冷爆”的问题 开始越来越突出 采用大Hfe、降低基极驱动也可以 随着这方面工作的进一步深入，三极管的发热越来越低，三极管越用越小，线路对三极管的驱动也