电子技术第2版福州大学李少纲电子课件第2章节基本放大电路.ppt

4、漏极最大耗散功率PDM PDM是漏极耗散功率PD=UDSID的最大允许值，是从发热角度对场效应晶体管提出的限制条件。 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 双极型三极管 单极型场效应管 绝缘栅场效应晶体管任何时候都不能将栅极悬空，存放时应将各电极短接在一起 。 二、 场效应晶体管放大电路 (一)静态分析 1．分压偏置共源极放大电路 + – +VDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 栅极电位： 栅、源极间电压： 2．自给偏压共源极放大电路 +VDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 只适用于耗尽型场效应晶体管组成的放大电路 栅极电位： 栅、源极间电压： 栅、源极间电压是由场效应晶体管自身电流ID产生的，故称自给偏压。 (二)动态分析 1.电压放大倍数 RG1 RD RG2 RG + – RL + – S D G T + – +VDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 交流通路 RG1 RD RG2 RG + – RL + – S D G T + – 2．输入电阻 3．输出电阻 例2-10 在图示放大电路中，已知VDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200 kΩ，RG2=51 kΩ，RG=1MΩ，RS=10 kΩ，在输出端接一负载电阻RL=10 kΩ。场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数 IDSS=0.9mA，UGS(off)=－4V，gm=1.5mA/V。试求静态作点及电压放大倍数。 + – +VDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 解 ： (1)静态工作点 ID=0.5mA，UGS=－1V + – +VDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo (2)电压放大倍数 （3）比较输入信号 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。 可分解成: 共模信号 差模信号 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号—差分 放大电路。 例：ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV － 2 mV 二、 静态分析 +VCC RC V1 RB EE IB IC + － UBE + － UCE 2IE IE + － RP的阻值很小，忽略不计。 基极电路； 静态时，发射极电位UE≈0 三、 动态分析 + + - - RC RC RL 2 RL 2 RB RB rbe rbe +VCC uo ui1 RC RP V1 RB RC ui2 RE RB + + + – – – V2 EE – + ui=ui1－ui2 C1 C2 1．双端输入—双端输出的差动放大电路 例2-9 在图示双端输入—双端输出的差动放大电路中，已知VCC＝12V，EE=12V, β=50，RC＝10kΩ， RE＝10kΩ，RB=20kΩ，RP=100Ω,并在输出端接负载电阻RL=20kΩ,试求电路的静态值和差模电压放大倍数。 +VCC uo ui1 RC RP V1 RB RC ui2 RE RB + + + – – – V2 EE – + ui=ui1－ui2 C1 C2 （1）静态值 +VCC RC V1 RB EE IB IC + － UBE + － UCE 2IE IE + － （2）差模电压放大倍数 + + - - RC RC RL 2 RL 2 RB RB rbe rbe 2．双端输入—单端输出的差动放大电路 +VCC uo ui1 RC RP RB RC ui2 RE RB + + + – – – EE – + ui=ui1－ui2 RL + + - - RC RC RL RB RB rbe rbe 反相输出端的电压放大倍数 思考 同相输出端的电压放大倍数 ？ 3．单端输入的差动放大电路 +VCC uo1 ui1 RC RP RB RC ui2 RE RB + + + – – – EE – + ui + – uo2 只要共模反馈电阻足够大时，两管所取得的信号就可以认为是一对差模信号。 四种接法的动态参数归纳： ②双端输出 单端输出 ①输入电阻 四